[实用新型]一种低信号对外辐射的高频连接器有效
| 申请号: | 202023196890.8 | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN214254971U | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
| 发明(设计)人: | 赖小林;彭哲;尹绪引 | 申请(专利权)人: | 电连技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H01R24/40 | 分类号: | H01R24/40;H01R13/6581 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518106 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 信号 对外 辐射 高频 连接器 | ||
1.一种低信号对外辐射的高频连接器,可与对方连接器配合连接,其特征在于,包括:
同轴电缆,其具有内导体和在所述内导体周围同轴地配置的外导体;
外部端子,其与所述同轴电缆的外导体电性连接;
绝缘本体,其固定于所述外部端子;
内部端子,与所述内导体电性连接并固定于所述绝缘本体;
导电构件,其以一定的绝缘间隔包覆于所述内导体的外部并可电性连接于所述外部端子上;
所述外部端子具备沿着所述同轴电缆与所述绝缘本体延伸并对上述两者进行支承地保持的支承部、从所述支承部的一端垂直地折弯延伸形成的圆筒部以及从所述支承部朝向所述同轴电缆铆接的铆接卡合部;
所述铆接卡合部具有在所述内导体与所述内部端子连接部分的周围朝着所述绝缘本体和导电构件进行卡合的第一接合部和与所述外导体卡合形成电性连接的第二接合部;
所述导电构件的一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述外导体的位置,其另一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上可被所述第一接合部卡合形成电性连接的位置。
2.如权利要求1所述的一种低信号对外辐射的高频连接器,其特征在于:所述导电构件的位于与所述内导体所在侧的方向相反的另一端在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部形成重叠的位置。
3.如权利要求1或2所述的一种低信号对外辐射的高频连接器,其特征在于:所述导电构件与所述绝缘本体通过镶嵌成型工艺形成为一体。
4.如权利要求3所述的一种低信号对外辐射的高频连接器,其特征在于:所述绝缘本体具有基体部、从所述基体部延伸形成的凸伸部、由所述凸伸部的端面突出的台阶部;所述导电构件具有包围所述内导体与所述内部端子的连接部分周围且其一端延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述内导体的前端位置的盖状部,该盖状部的表面与所述台阶部的表面平齐地设置;所述导电构件还具有固强部,该固强部的一端通过一倾斜段与所述盖状部相连;所述固强部镶嵌于所述凸伸部内且其表面与所述凸伸部的表面平齐地设置。
5.如权利要求4所述的一种低信号对外辐射的高频连接器,其特征在于:所述导电构件为通过冲压工艺制成的截面为“Π”形的盖状结构,与所述外部端子的所述支承部盖合形成第一容置槽,所述内导体的前端被完全包覆在所述第一容置槽中。
6.如权利要求1或2所述的一种低信号对外辐射的高频连接器,其特征在于:所述圆筒部的圆周内壁上通过刺破工艺形成有第一凸部,该第一凸部从所述圆筒部的内壁面凸出,与所述绝缘本体的基体部的侧缘上设有的第一凹槽相互卡合。
7.如权利要求6所述的一种低信号对外辐射的高频连接器,其特征在于:所述第一凸部为周围无破洞的凸起。
8.如权利要求3所述的一种低信号对外辐射的高频连接器,其特征在于:所述导电构件的在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部形成重叠的位置上设有凸包部,用以与对方连接器插合时与其电性连接。
9.如权利要求1所述的一种低信号对外辐射的高频连接器,其特征在于:所述外部端子的圆筒部在沿着所述同轴电缆与所述绝缘本体延伸的两侧设有突出部,该突出部朝着所述导电构件进行卡合并形成第一接缝,所述导电构件的外表面至少设置一个电性连接到所述突出部的侧凸部。
10.如权利要求9所述的一种低信号对外辐射的高频连接器,其特征在于:所述第一接合部朝着所述绝缘本体和导电构件卡合到所述突出部上并形成第二接缝,该第二接缝与所述第一接缝处于彼此相对错开的位置。
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