[实用新型]一种反应腔装置

说明书

一种反应腔装置，包括：反应腔主体；位于所述反应腔主体内的晶圆承载平台，所述晶圆承载平台的表面适于放置晶圆；环绕所述晶圆承载平台的缓冲环，所述缓冲环适于在垂直于晶圆承载平台上表面的方向上进行移动。所述反应腔装置能够调节整个晶圆表面反应速率的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种反应腔装置。

背景技术

在半导体制造中，涉及多道工序，每道工序都是由一定的设备和工艺来完成的。其中，等离子体反应常被用于半导体晶圆及其它基片的化学物理沉积、刻蚀以及光刻胶灰化去除等，常用的等离子体源包括ICP、CCP以及微波等产生方式。对于某些光刻胶灰化去除工艺，通常不希望等离子体中的高能离子与光刻胶进行直接作用，而是期望通过等离子体中的化学活性自由基中间体与光刻胶之间产生高温灰化反应，这种反应是一种典型的高温化学反应过程。通常，灰化反应的均匀性至关重要，而这种均匀性取决于化学活性自由基中间体（简称活性基团）在晶圆上表面分布的均匀性，包括活性基团流量、压力以及组成的均匀性。

一般而言，具有高浓度植入物的光刻胶在去除过程常用到还原性化学反应，如采用H₂/N₂混合物作为反应气体，这种灰化反应常常表现出强烈的中心反应速度高，边缘反应速度低的趋势。究其原因为：等离子体产生的高密度H^*活性基团由于质量轻具有非常高的迁移速度，H^*在反应室中的停留时间特别短，非常容易被真空泵抽离，造成晶圆边缘区域H^*浓度陡然下降的趋势，即晶圆中心浓度高，灰化反应快，晶圆边缘浓度低，灰化反应慢的趋势，导致整体反应均匀性较差。

发明内容

本实用新型解决的问题是提供一种反应腔装置，能够调节整个晶圆表面反应速率的均匀性。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种反应腔装置，包括：反应腔主体；位于所述反应腔主体内的晶圆承载平台，所述晶圆承载平台的表面适于放置晶圆；环绕所述晶圆承载平台的缓冲环，所述缓冲环适于在垂直于晶圆承载平台上表面的方向上进行移动。

可选的，所述缓冲环中具有开口；所述开口自所述缓冲环的内壁至所述缓冲环的外壁贯穿所述缓冲环。

可选的，若干开口沿着所述缓冲环的周向排布。

可选的，所述开口在所述缓冲环的侧壁的投影形状为条状，所述条状的延伸方向垂直于若干开口的排布方向。

可选的，所述开口在所述缓冲环的侧壁的投影形状沿着所述缓冲环的周向延伸；自所述缓冲环的顶部至所述缓冲环的底部的方向排布有多个开口。

可选的，所述开口在所述缓冲环的侧壁的投影形状为孔状。

可选的，所述缓冲环为石英缓冲环、陶瓷缓冲环、裸铝缓冲环或阳极氧化铝缓冲环。

可选的，所述缓冲环为多孔结构材料缓冲环。

可选的，所述缓冲环的侧壁垂直于所述晶圆承载平台的上表面。

可选的，所述缓冲环的侧壁与所述晶圆承载平台的上表面之间的夹角为钝角，所述钝角小于或等于120度。

可选的，还包括：位于所述缓冲环的底部且与所述缓冲环的底面接触的高度调节器；高度控制器，所述高度控制器适于控制所述高度调节器对所述缓冲环在纵向上的位置进行调节。

可选的，还包括：位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元；所述反应腔主体的顶部设置有隔离栅网；所述感性耦合射频单元位于所述隔离栅网的上方；贯穿所述反应腔主体的底壁的出气口。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下有益效果：