[实用新型]一种平面肖特基芯片的复合型钝化结构

权利要求书

1.一种平面肖特基芯片的复合型钝化结构，其特征在于，包括：

钝化层；

金属镀层，所述金属镀层设置在所述钝化层上；

以及聚酰亚胺复合膜，所述聚酰亚胺复合膜的一部分设置在所述钝化层上，所述聚酰亚胺复合膜的另一部分设置在所述金属镀层上，以抑制所述金属镀层与所述钝化层的结合处电荷迁移。

2.根据权利要求1所述的平面肖特基芯片的复合型钝化结构，其特征在于，所述钝化层的背离平面肖特基芯片的一侧为阶梯形结构，所述金属镀层的正面与反面为阶梯形结构，所述反面与所述钝化层上的阶梯形结构配合，所述聚酰亚胺复合膜沿着所述正面涂敷到所述钝化层上。

3.根据权利要求2所述的平面肖特基芯片的复合型钝化结构，其特征在于，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层和所述第二钝化层间隔设置，所述金属镀层的两端的正面和反面均具有阶梯形结构，所述金属镀层的两端的所述反面分别设置在所述第一钝化层的阶梯上与所述第二钝化层的阶梯上；

所述聚酰亚胺复合膜包括第一聚酰亚胺复合膜和第二聚酰亚胺复合膜，所述第一聚酰亚胺复合膜与所述第二聚酰亚胺复合膜分别沿着所述金属镀层的两端的所述正面涂敷到所述第一钝化层上和所述第二钝化层上。

4.根据权利要求3所述的平面肖特基芯片的复合型钝化结构，其特征在于，所述钝化层上的阶梯形结构为一级阶梯，所述金属镀层的正面与反面上的阶梯形结构均为二级阶梯。

5.根据权利要求3所述的平面肖特基芯片的复合型钝化结构，其特征在于，所述金属镀层的两端分别设置在所述第一钝化层和所述第二钝化层上将所述金属镀层悬空，使得所述金属镀层、所述第一钝化层和所述第二钝化层之间围成一容纳空间。

6.根据权利要求5所述的平面肖特基芯片的复合型钝化结构，其特征在于，还包括势垒层，所述势垒层设置在所述容纳空间内。

7.根据权利要求6所述的平面肖特基芯片的复合型钝化结构，其特征在于，还包括p+环，所述p+环设在所述钝化层与所述势垒层之间的间隙处。

8.根据权利要求7所述的平面肖特基芯片的复合型钝化结构，其特征在于，还包括N型硅层，所述N型硅层设置在所述钝化层下方。

9.根据权利要求8所述的平面肖特基芯片的复合型钝化结构，其特征在于，所述金属镀层包括第一金属镀层和第二金属镀层，所述第一金属镀层设置在所述第一钝化层上，所述第一聚酰亚胺复合膜沿所述第一金属镀层涂敷至所述第一钝化层上，所述第二金属镀层设置在所述N型硅层下方。

10.根据权利要求9所述的平面肖特基芯片的复合型钝化结构，其特征在于，所述N型硅层包括低浓度的N型硅层和高浓度的N型硅层，所述第二金属镀层设置在所述高浓度的N型硅层下方，所述低浓度的N型硅层设置在所述高浓度的N型硅层上，所述低浓度的N型硅层与所述钝化层、所述p+环及所述势垒层均紧密结合。