[实用新型]高频射频识别读写电路及读写器

权利要求书

1.一种高频射频识别读写电路，其特征在于,包括可变功放电源，微控制器主控单元，以及依次电性连接的载波振荡信号发生器、控制开关、驱动器、谐振功率放大器和阻抗变换器，以及依次电性连接的边带带通滤波器、二极管幅度检波器、第一中频放大器、第一有源带通滤波器、第二中频放大器、第二有源带通滤波器和解调电路，所述微控制器主控单元分别与所述载波振荡信号发生器、所述控制开关、所述可变功放电源和所述解调电路电性连接，所述可变功放电源与所述谐振功率放大器电性连接；

通过选择所述载波振荡信号发生器、所述谐振功率放大器、所述阻抗变换器、所述边带带通滤波器、所述第一有源带通滤波器和所述第二有源带通滤波器的第一工作频率，进而改变所述高频射频识别读写电路的第二工作频率，所述第一工作频率和所述第二工作频率相同。

2.根据权利要求1所述的高频射频识别读写电路，其特征在于，所述第一工作频率的选择范围在9.6MHZ到13.56MHZ之间。

3.根据权利要求2所述的高频射频识别读写电路，其特征在于，所述第一工作频率为9.6MHZ、10MHZ、11.0592MHZ、12MHZ或13.56MHZ。

4.根据权利要求2所述的高频射频识别读写电路，其特征在于，所述载波振荡信号发生器中的晶体振荡器的所述第一工作频率的选择范围在9.6MHZ到13.56MHZ之间。

5.根据权利要求2所述的高频射频识别读写电路，其特征在于，所述谐振功率放大器的第一并联谐振电路的所述第一工作频率的选择范围在9.6MHZ到13.56MHZ之间。

6.根据权利要求5所述的高频射频识别读写电路，其特征在于，所述谐振功率放大器还包括磁珠、MOS管、第二一电阻、第二一电容、第二三电容、第二四电容和第二五电容，所述驱动器通过所述磁珠分别与所述MOS管的栅极和第二一电阻的一端电性连接，所述MOS管的漏极分别与所述第一并联谐振电路的一端和所述第二一电容的一端电性连接，所述MOS管的源极接地，所述第一并联谐振电路的另一端分别与所述第二三电容、所述第二四电容、所述第二五电容的一端电性连接，所述第二一电阻、所述第二三电容、所述第二四电容、所述第二五电容的另一端接地，所述第二一电容的另一端与所述阻抗变换器电性连接。

7.根据权利要求2所述的高频射频识别读写电路，其特征在于，所述阻抗变换器包括第三一电感、第三二电感、第三一电容、第三二电容和第三一电阻，所述第三一电感的一端与所述谐振功率放大器电性连接，所述第三一电感的另一端分别与所述第三一电容、所述第三二电容、所述第三一电阻和所述第三二电感的一端电性连接，所述第三一电容、所述第三二电容和所述第三一电阻的另一端接地。

8.根据权利要求2所述的高频射频识别读写电路，其特征在于，所述边带带通滤波器包括第四一电容、第四一电感、第四二电容、第四三可变电容，所述第四一电容分别与所述第四一电感、第所述四二电容、所述第四三可变电容和所述第一中频放大器的一端电性连接，所述第四一电感、第所述四二电容和所述第四三可变电容的另一端接地。

9.根据权利要求2所述的高频射频识别读写电路，其特征在于，所述第一有源带通滤波器包括第七一电容、第七二电容、第七三电容、第七四电容、第七五电容、第七一电阻、第七二电阻、第七三电阻和第一运算放大器，所述第一中频放大器通过所述第七一电容与所述第七一电阻电性连接，所述第七一电阻分别与所述第七二电阻、所述第七二电容和所述第七三电容的一端电性连接，所述第七二电容的另一端分别与所述第一运算放大器的第二端口和所述第七三电阻的一端电性连接，所述第七三电容的另一端分别与所述第七三电阻的另一端、所述第一运算放大器的第一端口和所述第七五电容的一端电性连接，所述第七五电容的另一端与所述第二中频放大器电性连接，所述第一运算放大器的第三端口分别与外接电源和所述第七四电容的一端电性连接，所述第七四电容和所述第七二电阻的另一端接地。