[实用新型]干式玻璃蚀刻自动化装置有效
| 申请号: | 202022940426.9 | 申请日: | 2020-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN213716838U | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
| 发明(设计)人: | 史延锋;史延库 | 申请(专利权)人: | 苏州盟萤电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 玻璃 蚀刻 自动化 装置 | ||
本实用新型提供了一种干式玻璃蚀刻自动化装置,其包括自上而下依次设置的下电极板、冷却板、绝缘层、底板及升降支撑组件,所述升降支撑组件包括若干支撑PIN及驱动所述支撑PIN相对于所述下电极板升降的驱动机构,所述支撑PIN的上端穿过下电极板并突伸出所述下电极板的上表面,所述支撑PIN分布于所述下电极板的四周及中部,所述支撑PIN的下端穿过底板及真空腔室壁,并与真空腔室外的驱动机构连接,所述支撑PIN的外周设有将真空腔室壁内外进行密封的气密润滑部,所述气密润滑部穿设于绝缘层、底板及真空腔室壁内。如此设置,所述干式玻璃蚀刻自动化装置可适用于薄型玻璃基板,降低了薄型玻璃基板破损的几率。
技术领域
本实用新型涉及干法刻蚀技术领域,尤其涉及一种干式玻璃蚀刻自动化装置。
背景技术
干法刻蚀是用等离子体对半导体材料进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时,一方面气体化学活性比常态下时要强很多,根据被刻蚀材料的不同,选择合适的气体,就可以更快地与材料进行反应,实现刻蚀;另一方面,还可以利用电场对等离子体进行引导和加速,使其具备一定能量,当其轰击被刻蚀物的表面时,会将被刻蚀物材料的原子击出,从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
在干法刻蚀制程中,干刻下电极板用于支撑待刻蚀玻璃基板,由于玻璃基板自身存在结构应力,随着外界温度的变化,热应力也会发生变化,而且玻璃基板越薄,其应力越大。随着科技的发展,用户对于显示设备越来月追求超薄超轻,相应的,显示设备的玻璃基板厚度也需要变薄,当薄型化的玻璃基板在干式玻璃蚀刻自动化装置进行刻蚀时,其中间部分会向下弯曲,使得玻璃容易破裂。
因此,有必要设计一种干式玻璃蚀刻自动化装置,以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种降低玻璃基板破损率的干式玻璃蚀刻自动化装置。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种干式玻璃蚀刻自动化装置,用于对真空腔室内的玻璃基板进行刻蚀,所述干式玻璃蚀刻自动化装置包括自上而下依次设置的下电极板、冷却板、绝缘层、底板及升降支撑组件,所述升降支撑组件包括若干支撑PIN及驱动所述支撑PIN相对于所述下电极板升降的驱动机构,所述支撑PIN的上端穿过下电极板并突伸出所述下电极板的上表面,所述支撑PIN分布于所述下电极板的四周及中部,所述支撑PIN的下端穿过底板及真空腔室壁,并与真空腔室外的驱动机构连接,所述支撑PIN的外周设有将真空腔室壁内外进行密封的气密润滑部,所述气密润滑部穿设于绝缘层、底板及真空腔室壁内。
作为本实用新型进一步改进的技术方案,所述气密润滑部包括容器及设于容器内的全氟聚醚润滑剂。
作为本实用新型进一步改进的技术方案,所述底板与真空腔室壁之间还支撑有支撑部,所述支撑部的截面呈工字型,所述支撑部设于支撑PIN及气密润滑部的外周。
作为本实用新型进一步改进的技术方案,所述支撑PIN的外周套设有真空波纹管,所述真空波纹管位于真空腔室外侧并与真空腔室壁内的气密润滑部连接。
作为本实用新型进一步改进的技术方案,所述冷却板内设有冷却液通道,所述干式玻璃蚀刻自动化装置还包括与所述冷却液通道连通的管道,所述管道所述冷却板下方穿过所述气密润滑部与真空腔室外部连接。
作为本实用新型进一步改进的技术方案,所述驱动机构包括气缸及将所述支撑PIN同步带动的连杆结构。
作为本实用新型进一步改进的技术方案,所述气密润滑部与所述支撑 PIN一一对应设置。
作为本实用新型进一步改进的技术方案,所述下电极板为铝板,其上表面镀有Al2O3-W-Al2O3层。
作为本实用新型进一步改进的技术方案,所述下电极板的上表面至所述支撑部底部的距离小于330mm。
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