[实用新型]目标物承载装置及半导体器件制作设备

说明书

本公开实施例公开了一种目标物承载装置及半导体器件制作设备，所述包括：承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。

技术领域

本公开实施例涉及半导体制作技术领域，特别涉及一种目标物承载装置及半导体器件制作设备。

背景技术

在半导体制作领域，等离子体处理设备利用气体在真空环境下辉光放电产生的等离子体，对待处理的目标物进行等离子体处理。例如，可通过电离气体得到的活性基团在目标物周围发生化学反应，形成新的物质以在目标物表面沉积薄膜。

随着半导体器件逐渐微型化，所需要沉积的薄膜厚度越来越薄，且对沉积的薄膜厚度均匀性要求越来越高。因此，如何提高沉积薄膜的均匀性，以提高制作的半导体器件的质量，成为亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种目标物承载装置及存储器制作设备。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种目标物承载装置，包括：

承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；

环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；

其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。

在一些实施例中，所述承载位包括：圆形承载位；

所述环形结构包括：圆环；

其中，沿平行于所述圆形承载位所在平面的方向，所述圆形承载位的圆心与所述圆环的圆心错开。

在一些实施例中，所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：

通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面。

在一些实施例中，所述环形结构还包括：可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；

所述装置还包括：第一驱动组件，与所述可滑动盖板连接，用于驱动所述可滑动盖板相对所述通孔滑动。

在一些实施例中，所述环形结构包括：活动挡板以及与所述活动挡板相适配的凹槽；其中，所述凹槽，设置在所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁上；

其中，当所述活动挡板处于折叠状态时，所述活动挡板位于所述凹槽内，且与所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁对齐；当所述活动挡板处于展开状态时，所述活动挡板凸出于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，且所述活动挡板与所述承载位之间的距离，小于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁与所述承载位之间的距离；

所述装置还包括：第二驱动组件，与所述活动挡板连接，用于驱动所述活动挡板在所述折叠状态和所述展开状态之间切换。

在一些实施例中，所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，呈阶梯状和/ 或斜坡状。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种半导体器件制作设备，包括：

容置腔；

如本公开实施例第一方面提供的目标物承载装置，位于所述容置腔内。