[实用新型]目标物承载装置及半导体器件制作设备

权利要求书

1.一种目标物承载装置，其特征在于，包括：

承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；

环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；

其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。

2.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，

所述承载位包括：圆形承载位；

所述环形结构包括：圆环；

其中，沿平行于所述圆形承载位所在平面的方向，所述圆形承载位的圆心与所述圆环的圆心错开。

3.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：

通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面。

4.根据权利要求3所述的目标物承载装置，其特征在于，

所述环形结构还包括：可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；

所述装置还包括：第一驱动组件，与所述可滑动盖板连接，用于驱动所述可滑动盖板相对所述通孔滑动。

5.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，

所述环形结构包括：活动挡板以及与所述活动挡板相适配的凹槽；其中，所述凹槽，设置在所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁上；

其中，当所述活动挡板处于折叠状态时，所述活动挡板位于所述凹槽内，且与所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁对齐；当所述活动挡板处于展开状态时，所述活动挡板凸出于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，且所述活动挡板与所述承载位之间的距离，小于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁与所述承载位之间的距离；

所述装置还包括：第二驱动组件，与所述活动挡板连接，用于驱动所述活动挡板在所述折叠状态和所述展开状态之间切换。

6.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，呈阶梯状和/或斜坡状。

7.一种半导体器件制作设备，其特征在于，包括：

容置腔；

如权利要求1至6任一项所述的目标物承载装置，位于所述容置腔内。

8.根据权利要求7所述的半导体器件制作设备，其特征在于，

所述环形结构的相对远离所述承载位的侧壁，与所述容置腔的腔体接触。

9.根据权利要求7所述的半导体器件制作设备，其特征在于，

所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：

通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面；

可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；

所述设备还包括：

压强检测组件，位于所述容置腔内，用于检测所述容置腔内的压强；

控制组件，分别与所述压强检测组件及所述可滑动盖板电连接，用于在检测的所述容置腔内的压强大于预设压强时，控制所述可滑动盖板相对所述通孔滑动，以增大所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；

所述控制组件，还用于在检测的所述容置腔内的压强小于或等于所述预设压强时，控制所述可滑动盖板相对所述通孔滑动，以减小所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸。

10.根据权利要求7所述的半导体器件制作设备，其特征在于，所述半导体器件制作设备包括：

气相沉积设备；

和/或，

等离子体刻蚀设备。