[实用新型]AGV充电防倒灌电路及电路板有效

专利信息
申请号: 202022794414.X 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN215897297U 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 谢仔林 申请(专利权)人: 广东嘉腾机器人自动化有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00;H02J7/00;B60L53/60;B60L53/31;B60L3/00;B60L58/10
代理公司: 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 代理人: 刘伟强
地址: 528325 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: agv 充电 倒灌 电路 电路板
【权利要求书】:

1.AGV充电防倒灌电路,其特征在于:包括AGV电池、继电器、光电耦合器和第二MOS管,

AGV电池的正极、继电器的常开开关用于与充电桩的正极电连接,负极用于与充电桩的负极电连接,从而形成充电电路;

继电器的线圈、第二MOS管串联形成控制支路,控制支路的两端与AGV电池的两端并联;

光电耦合器的输入端与继电器的常开开关的两端并联,其输出端与AGV电池的两端并联形成驱动电路,且第二MOS管的G极与其输出端的电流输入端并联。

2.根据权利要求1所述的AGV充电防倒灌电路,其特征在于:所述控制支路还包括第一MOS管,所述第一MOS管的D极、S极与第二MOS管、继电器的线圈串联,且第一MOS管的G极用于与AGV的单片机电连接,以接入AGV发出的充电信号。

3.根据权利要求1所述的AGV充电防倒灌电路,其特征在于:所述第二MOS管为P沟道耗尽型MOS管。

4.根据权利要求2所述的AGV充电防倒灌电路,其特征在于:所述第一MOS管为P沟道耗尽型MOS管。

5.根据权利要求1所述的AGV充电防倒灌电路,其特征在于:还包括三极管,所述三极管的基极与线圈的电流输入端并联,所述三极管的集电极与第二MOS管的G极并联,所述三极管的发射极与AGV电池的负极并联。

6.根据权利要求5所述的AGV充电防倒灌电路,其特征在于:所述光电耦合器的输出端为一NPN型三极管,其发射极接地,集电极与AGV电池的正极电连接。

7.根据权利要求5所述的AGV充电防倒灌电路,其特征在于:所述三极管为NPN型三极管。

8.根据权利要求6所述的AGV充电防倒灌电路,其特征在于:所述三极管的基极串联第一电阻。

9.根据权利要求5所述的AGV充电防倒灌电路,其特征在于:所述三极管的集电极串联第二电阻。

10.电路板,包括电路板本体和设置在其上的电路,其特征在于:所述电路为根据权利要求1-9任一项所述的AGV充电防倒灌电路。

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