[实用新型]一种倒装结构的LED芯片及发光装置有效

申请号：	202022770475.2	申请日：	2020-11-26
公开（公告）号：	CN213483771U	公开（公告）日：	2021-06-18
发明（设计）人：	臧雅姝;陈江祥;温兆军;周帅坤;郑志颖;郭明兴	申请（专利权）人：	厦门三安光电有限公司
主分类号：	H01L33/62	分类号：	H01L33/62;H01L33/48
代理公司：	厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218	代理人：	黄斌
地址：	361000 福建省厦门市厦门火***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	一种倒装结构 led 芯片发光装置
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【权利要求书】：

1.一种倒装结构的LED芯片，包括半导体发光序列层，位于半导体发光序列层的同侧且极性相反的两焊盘，其特征在于：所述焊盘包括由内至外依序层叠设置的应力缓冲层、结合层和保护层，所述结合层为夹层结构，包括Ni金属层以及插入至该Ni金属层中的至少一中间金属层，该中间金属层为Ti金属层、Pt金属层或者Pb金属层的其一或者其组合。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述结合层中Ni金属层的总厚度在不超过5000埃。

3.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于：所述结合层中Ni金属层的总厚度不低于3000埃。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述结合层中中间金属层的厚度在不超过50埃。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述结合层中仅具有一层中间金属层，且该中间金属层在Ni金属层中的位置相对于应力缓冲层更靠近保护层。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述应力缓冲层是由Al金属层与Ti金属层由内而外交错层叠设置的多层结构，或者所述的应力缓冲层是由Al金属层与Cr金属层由内而外交错层层叠设置的多层结构。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：所述应力缓冲层中Al金属层的厚度大于Ti金属层或者Cr金属层的厚度。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于：所述Al金属层的厚度为1～2000埃，所述Ti金属层的厚度为1～2000埃。

9.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：所述应力缓冲层中具有3～5层Al金属层以及3～5层Ti金属层，或者所述应力缓冲层中具有3～5层Al金属层以及3～5层Cr金属层。

10.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述的Ni金属层在中间金属层的两侧包括两层，其中一层最临近应力缓冲层和另外一层最远离应力缓冲层，最临近应力缓冲层一侧的一层Ni金属层与最远离应力缓冲层的一层Ni金属层的厚度比例至少为2：1。

11.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述保护层为Au金属层。

12.一种发光装置，其特征在于：包括基板，基板上安装有如权利要求1～11任一项所述的LED芯片。

13.根据权利要求12所述的一种发光装置，其特征在于：所述的基板为柔性基板。