[实用新型]一种异质结电池和组件有效
申请号: | 202022199616.X | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN212625599U | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 黄强;崔艳峰;谷士斌;蔡涔;任明冲;周学谦;张莹 | 申请(专利权)人: | 东方日升(常州)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0745;H01L31/20 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 杨艳 |
地址: | 213251 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 异质结 电池 组件 | ||
本实用新型公开了一种异质结电池和组件,该异质结电池包括衬底、第一本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层、第二本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层、第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层、介电薄膜和金属网;其中,金属网由若干互相垂直的第一金属丝和第二金属丝组成,金属网的一面涂覆有粘结材料。采用金属丝组成的金属网代替使用低温银浆印刷金属栅线,无需使用银浆,极大降低生产成本。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种异质结电池和组件。
背景技术
从现阶段来看,影响异质结技术发展的主要问题及成因涵盖以下四个方面:1)技术稳定性并未达到大范围推广的程度,成本仍然较高;2)设备价格昂贵;3)异质结太阳能电池一般采用树脂型低温固化银浆作为金属电极,电阻率高,导电性差,为了提高导电性,需要提高金属电极的宽度或者高度,导致电池的银浆耗量增加,5BB主栅结构的异质结电池银浆耗量在300mg左右,高于市场主流的PERC电池200mg以上。即使采用最新的多主栅技术,银浆耗量仍然在150mg以上。导致异质结电池成本偏高,几乎占到了电池非硅生产成本的一半以上;4)透明导电薄膜ITO的In属于稀有金属,地壳含量稀少,因此导致溅射ITO所用的靶材价格昂贵。5)组件成本偏高。由于异质结电池的生长温度在200度以下,因此制备组件时不能采用常规的焊带和串焊机,需要使用低温焊带和低温串焊机,价格偏高,进一步增加了异质结电池的生产成本。
其中3)低温银浆的成本几乎占到了电池非硅成本的一半以上,一方面是由于目前低温银浆市场基本被日本京都电子垄断,国内厂商目前仍处于起步阶段,导致低温银浆的价格几乎是常规PERC使用的高温银浆的两倍。另一方面,也是最主要的,在于异质结电池的银浆使用量上也远高于常规PERC电池。其次是4)ITO的用量,解决方法在于尽可能的降低ITO薄膜的厚度,以降低靶材的耗量。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种异质结电池和组件,该异质结电池无需使用低温银浆作为金属电极,降低了生产成本。
本实用新型的目的采用如下技术方案实现:
一种异质结电池,衬底的一面从内到外依次生长有第一本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层,衬底的另一面从内到外依次生长有第二本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层;N型掺杂非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层,P型掺杂非晶硅层上沉积第二透明导电氧化物层;第一透明导电氧化物层的一面和第二透明导电氧化物层的一面各与金属网固定;第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上均沉积有介电薄膜;其中,金属网由若干互相垂直的第一金属丝和第二金属丝组成。
进一步,所述第一金属丝和第二金属丝的材质为铜、银、金、锡和铝中的一种或几种。第一金属丝和第二金属丝可以选用相同或不同的材质。
再进一步,所述第一金属丝的直径大于或等于第二金属丝的直径;单根第一金属丝和单根第二金属丝的尺寸范围均为0.1mm~10mm。
进一步,所述第一金属丝和第二金属丝的形状为长方体、正方体、圆柱形和三角形中的一种。优选形状为三角形,优选为三角形的金属丝,三角形的金属丝与透明导电氧化物层的接触面积大,能增加光的漫反射效果。
进一步,所述金属网的一面涂覆有粘结材料,第一透明导电氧化物层的一面和第二透明导电氧化物层的一面各与金属网涂覆有粘结材料的一面固定。
再进一步,所述粘结材料选用导电胶、高温易挥发的有机材料和含有Ag颗粒的纳米材料中的一种或几种。其中,所述高温易挥发的有机材料为聚乙烯及乙烯共聚物热熔胶。
进一步,所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层选用ITO薄膜、IWO薄膜、AZO薄膜、FTO薄膜、In2O3:ZnO薄膜和SnO2薄膜中的一种或几种。优选地,选用ITO薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的