[实用新型]一种喷嘴气道清洗治具有效

专利信息
申请号: 202022187509.5 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN212848329U 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 杨苏圣 申请(专利权)人: 湖州科秉电子科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 周孝林
地址: 313000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 喷嘴 清洗
【说明书】:

本实用新型提供了一种喷嘴气道清洗治具,包括治具本体,所述治具本体包括上通水部、下承接部以及设置于所述上通水部上的注水口,待清洗的喷头限位放置于所述上通水部和下承接部之间,清洗液由所述注水口通入并流经所述喷头的气孔内进行清洗;通过设置由上通水部和下承接部组成的治具本体,两者通过可拆卸安装形成一开放的安装空间,并在上通水部上开设注水口,将待清洗的喷头安装于治具本体空间内后通过利用超纯水强制流过气孔,达到气道清洁的目的,进而有效去除气道内的微尘粒子,降低生产成本,提高产品质量,解决了现有技术中存在的喷头气道无法清洗、需频繁报废更换的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域,具体涉及一种喷嘴气道清洗治具。

背景技术

MESA机型属于半导体制造其中一环,主要用于干式电浆蚀刻机领域,广泛用于16nm以下制程。16nm制程于国内属于最先进制程领域,由于制程微缩化,制程要求精细,对于MESA机型中的喷头部件具有高洁净度要求。

申请号为CN201280026355.7的中国实用新型专利公开了用于电感耦合等离子体蚀刻反应器的气体分配喷头,处理腔室,在其中处理半导体衬底;衬底支撑件,在半导体衬底处理期间半导体衬底支撑在衬底支撑件上;以及天线,其能操作以在处理腔室中产生并保持等离子体。陶瓷喷头形成了腔室的介电窗,并且气体输送系统能操作以交替地供给蚀刻气体和沉积气体至喷头的稳压室并且在200毫秒内用沉积气体来更换稳压室中的蚀刻气体。

然而现有的喷头部件中的气道(尤其在气孔部分)会因使用时间增加,逐渐累积不纯物质,当不纯物质累积到一定程度后,会使生产不稳定性大增,此时使用者大多数都会选择报废更换为主要手段,集成电路相关生产设备部件多为国外进口价格不斐,频繁的报废更换对于使用者是一个高成本负担。

实用新型内容

针对以上问题,本实用新型提供了一种喷嘴气道清洗治具,通过设置由上通水部和下承接部组成的治具本体,两者通过可拆卸安装形成一开放的安装空间,并在上通水部上开设注水口,将待清洗的喷头安装于治具本体空间内后通过利用超纯水强制流过气孔,达到气道清洁的目的,进而有效去除气道内的微尘粒子,降低生产成本,提高产品质量,解决了现有技术中存在的喷头气道无法清洗、需频繁报废更换的技术问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种喷嘴气道清洗治具,包括治具本体,所述治具本体包括上通水部、下承接部以及设置于所述上通水部上的注水口,待清洗的喷头限位放置于所述上通水部和下承接部之间,清洗液由所述注水口通入并流经所述喷头的气孔内进行清洗。

作为优选,所述上通水部和下承接部之间形成用于放置所述喷头的开放空间,且所述下承接部的底部中心设置有排液通口。

作为优选,所述上通水部包括与所述喷头的外形尺寸相适配的顶罩以及与所述顶罩的底部一体成型设置的安装座,所述喷头的顶部限位罩设于所述顶罩内。

作为优选,所述下承接部的中心设置有与所述喷头的外形尺寸相适配的安装槽,所述喷头的底部限位放置于所述安装槽中。

作为优选,所述清洗液采用超纯水。

作为优选,所述上通水部和下承接部之间可拆卸连接。

作为优选,所述上通水部和下承接部之间通过螺丝固定连接。

作为优选,所述上通水部的底面四角设置有插销,所述下承接部的顶面四角对应设置有用于插合所述插销的插孔柱。

作为优选,所述注水口贯穿所述上通水部的中心设置。

作为优选,所述治具本体采用PP材质。

本实用新型的有益效果在于:

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