[实用新型]背照式图像传感器芯片

说明书

本实用新型提供一种背照式图像传感器芯片，包括：具有相对的正面和背面的半导体衬底，其中光从背面进入衬底；设置于所述衬底正面的功能模块；设置于所述衬底背面且与背面焊盘同时形成的信号走线，所述信号走线的方块电阻小于0.2欧姆/方块；所述信号走线与所述功能模块彼此连接。本实用新型的背照式图像传感器芯片，在较小的芯片面积、较高的设计灵活度、较低的制造成本情况下，解决了敏感电路的分布和敏感信号的走线问题，降低了传输阻抗，提高了成像质量，保证了芯片性能。

技术领域

本实用新型涉及一种背照式图像传感器芯片。

背景技术

随着集成电路工艺尺寸的不断缩小和集成度的不断提高，芯片内部的功能模块个数以及单位时间所处理的数据量也在不断增大，这就导致芯片内部的敏感电路和敏感信号也越来越多。这些敏感电路和敏感信号容易受到其他模块或者信号的干扰，同时也容易对其他模块或者信号带来干扰。因此，在芯片设计过程中，对敏感电路的分布和敏感信号的走线要进行特殊的处理，它们通常需要尽量小的寄生阻抗，以及良好的匹配性和隔离。

在背照式图像传感器芯片中，敏感电路和敏感信号引起或受到的干扰往往会直观地体现在出图质量上，而芯片设计本身会有很大一片区域用于芯片的感光阵列，因而敏感电路的分布和敏感信号的走线问题会更加突显。

目前在背照式图像传感器芯片中，常见采用以下方案应对敏感电路的分布和敏感信号的走线问题：

（1）敏感电路独立划分区域，电源地隔离，并且在敏感电路周围放置合理数量的滤波电容；

（2）多层金属工艺，敏感信号走线采用高层金属差分走线，并做好相应的匹配和隔离，路径中避开其他敏感电路；

（3）敏感电路到有连接关系的其他模块或者芯片输入输出管脚采用就近放置原则，从而尽量减小敏感信号走线的长度，减少与其它不相关模块的交集；

（4）采用堆叠芯片的方案，一层用于图像传感器的感光阵列，另一层用于其他电路模块，大幅增大其他功能模块所能使用的有效面积，从而为敏感电路分布和敏感信号走线提供充足的裕量。

以上方案虽然可以较好地处理敏感电路分布和敏感信号走线问题，但方案（1）需要更多的芯片面积，方案（2）需要更多的金属层，方案（3）需要放弃一定的设计灵活度，方案（4）需要更高级的制造工艺，这些都将增加芯片的制造成本。

为了保证产品的竞争力，在芯片面积、布局和成本都存在限制的情况下，以上方案都将受到很大的限制，难以在充分保证性能的情况下应对敏感电路的分布和敏感信号的走线问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种背照式图像传感器芯片，在较小的芯片面积、较高的设计灵活度、较低的制造成本情况下，解决敏感电路的分布和敏感信号的走线问题，降低传输阻抗，提高成像质量，保证芯片性能。

基于以上考虑，本实用新型提供一种背照式图像传感器芯片，包括：具有相对的正面和背面的半导体衬底，其中光从背面进入衬底；设置于所述衬底正面的功能模块；设置于所述衬底背面且与背面焊盘同时形成的信号走线，所述信号走线的方块电阻小于0.2欧姆/方块；所述信号走线与所述功能模块彼此连接。

优选的，所述信号走线与所述衬底之间的绝缘层厚度大于等于40纳米。

优选的，所述信号走线位于所述衬底背面的凹槽之中。

优选的，所述信号走线的厚度大于等于400纳米。

优选的，所述信号走线用于将多个所述功能模块彼此连接或者将所述功能模块与输入输出管脚连接。

优选的，所述信号走线为斜坡信号线、时钟信号线或数据传输线。

优选的，所述衬底背面具有单层金属或多层金属，所述单层金属或多层金属中的至少一层作为所述信号走线。