[实用新型]一种半导体器件及电容器有效
| 申请号： | 202021405844.1 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN212967711U | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 艾育林;裘三君 | 申请（专利权）人： | 深圳市瑞之辰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L29/78;H01L23/64 |
| 代理公司： | 广东卓林知识产权代理事务所(普通合伙) 44625 | 代理人： | 岳帅 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区民治街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电容器 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，在SiC衬底上设置有HfO2基栅介质层，所述HfO2基栅介质层的厚度为10-100nm。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述HfO2基栅介质层上设置有金属电极。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述金属电极上具有栅极图形。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述金属电极的厚度为50-300nm。
5.根据权利要求2-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述金属电极中的金属元素为Al、Pt、W、Ni或Au中的一种。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述HfO2基栅介质层与所述SiC衬底的界面态密度为1×109-9.9×1010/cm2。
7.一种电容器，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的半导体器件。
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