[实用新型]用于镀膜设备的镀膜组件

说明书

本实用新型提供一种用于一镀膜设备的镀膜组件，所述镀膜装置包括一反应腔和一支撑架，所述镀膜组件包括一单体释放源以及一等离子激发源。所述支撑架具有一支撑区以供支撑所述基材。所述单体释放源具有一释放进口以供引出一膜层形成材料进入所述反应腔。所述等离子激发源被安置以供激活所述膜层形成材料，其中所述支撑架的所述支撑区被定位于介于所述单体释放源和所述等离子激发源之间，使得所述膜层被均匀地形成于所述基材的表面，且沉积速度加快。

技术领域

本实用新型涉及沉积式镀膜，尤其涉及一种用于一镀膜设备的镀膜组件，以供施加并形成一膜层于一基材，所述基材被适于被安置于一膜层形成材料的释放源和一等离子激发源之间而防止在一膜层成型工艺中所述膜层形成材料过度分解。

背景技术

镀膜设备被安置而用于在一基材的表面形成一聚合物涂层或薄膜，所述基材的制成材料包括，但不限于，金属、玻璃、陶瓷、聚合物、纤维、粉末以及半导体，进而提高所述基材的多种性能，例如疏水性、亲水性、疏油性、防锈、防霉、防潮、导电导热性、生物医学、光学、摩擦性能。

一种典型的镀膜设备利用等离子体气相沉积方法PECVD(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)，其通常地被制造以供引入一气体膜层形成材料进入一真空室，所述真空室中有一个或多个所述基材被放置，进而在所述基材的表面形成聚合物涂层。更具体地，所述气体膜层形成材料，可能包括，但不限于，有机材料，有机硅材料，无机材料，及以上的组合，其是一单体气体或单体蒸汽，藉由释放电能至所述单体而生产多种活性前体物质被激活为等离所述基材。然后，活性前体物质和所述单体之间发生反应，或者活性前体物质自身发生反应，聚合物薄膜随后沉积并形成于所述基材的表面。

单体应该被激发以产生活性前体物质，但是单体在等离子激发介质中的过度暴露会导致单体的过度分解，从而使得沉积速度和聚合物膜层的均匀性受到不利影响。

如图1A，现有的镀膜设备包括一腔室体1，用于将一膜层形成材料引入腔室体1中的膜层形成材料的一释放源2，以及用于对膜层形成材料施加电能的一等离子激发源3，以激发所述膜层形成材料。如图所示，一个或多个基材4被布置于所述等离子激发源3的相对电极之间。所述膜层形成材料被分散到所述等离子激发源3的相对电极之间的空间中而经历激发过程，以供产生活性前体物质。由于膜层形成材料应在所述等离子激发源3的作用下被激发，然后沉积在放置于所述等离子激发源3中的所述基材4上，因此膜层形成材料可能发生过度分解。另外，所述基材4在所述等离子激发源3的电极之间的暴露也可能导致对所述基材4的伤害。

如图1B，另一种现有的镀膜设备包括一腔室体1，膜层形成材料的一释放源2和放置于膜层形成材料的所述释放源2与待涂膜的基材4之间的一等离子激发源3。在镀膜方法期间，需要膜层形成材料穿过所述等离子激发源3的相对电极之间的空间，以在到达所述基材4之前实施用于产生活性前体物质的激发过程。

美国专利号US7,968,154B2，题为“将前体汽化为用于涂覆远端基材的激发介质”和美国专利号US8,029,872B2，题为“将膜层形成材料施加到至少一个基材上”，公开了这种包括汽化单体源和等离子激发介质的涂层设备。所述基材和汽化的单体源分别位于等离子激发介质的相对两侧，汽化单体源经过等离子激发介质，然后沉积在等离子激发介质的相对侧的基材表面上形成聚合物膜层。因此可以看出，汽化的单体仅在通过等离子激发介质之后才能沉积在基材的表面上。等离子激发介质可以使相对大部分的汽化单体在相对较长的时间内分解，使得汽化单体可能发生过度分解，因此所形成的膜层难以保持汽化的膜层形成材料的化学性质。

美国专利申请号US16/095179，题为“多源低功率低温等离子体聚合镀膜装置和方法”的公开了一种镀膜装置，所述镀膜装置通过组合多个小面积，低功率的光源高频放电以代替单个大面积，大功率高频放电源。然而，所述方法仍然在某种程度上过度破坏了单体的化学单体结构，并导致形成的聚合物膜层的质量不令人满意，并且装置的结构相对复杂并且难以组装。

实用新型内容