[实用新型]用于镀膜设备的镀膜组件

权利要求书

1.一镀膜组件，适用于一镀膜装置，用于在一基材表面形成膜层，其中该镀膜装置包括一腔室体，该腔室体具有一反应腔，其中该腔室体具有一基材定位区以供放置所述基材，其中所述镀膜组件包括：

一单体释放源，具有一释放进口，以供引入一膜层形成材料进入该腔室体的该反应腔；以及

一等离子激发源被放置于该腔室体的该反应腔，以供激发所述膜层形成材料，其中所述基材定位区位于所述单体释放源和所述等离子激发源之间，以一种所述基材适于被布置于所述单体释放源和所述等离子激发源之间的方式。

2.根据权利要求1所述的镀膜组件，该镀膜装置进一步包括一支撑架以供支撑所述基材，其中该支撑架适于被放置于该腔室体的所述基材定位区。

3.根据权利要求1所述的镀膜组件，该镀膜装置进一步包括一支撑架以供支撑所述基材，其中该支撑架被安装于该腔室体的所述基材定位区。

4.根据权利要求1所述的镀膜组件，该镀膜装置进一步包括一支撑架以供支撑所述基材于该腔室体的所述基材定位区，其中该支撑架被操作而移动于该腔室体的该反应腔中所述单体释放源和所述等离子激发源之间。

5.根据权利要求1所述的镀膜组件，其中所述等离子激发源的放电方式选自以下组合：直流放电，交流放电，音频放电，射频放电，微波放电，中频放电，潘宁放电，火花放电和脉冲放电。

6.根据权利要求1所述的镀膜组件，其中该镀膜装置进一步包括一单体供应单元，所述单体供应单元进一步包括一材料储存器，用于存储所述膜层形成材料的原材料，一汽化器，以供汽化原材料而形成汽态单体的所述膜层形成材料。

7.根据权利要求1所述的镀膜组件，其中该镀膜装置进一步包括一单体供应单元，所述单体供应单元进一步包括一材料储存器被连通于所述单体释放源，用于存储气态单体的所述膜层形成材料。

8.一镀膜组件，适用于一镀膜装置，用于在一基材表面形成膜层，其中该镀膜装置包括一腔室体和一支撑架，其中该腔室体具有一反应腔，其中该支撑架具有一支撑区，以供支撑所述基材于该腔室体的该反应腔，其中所述镀膜组件包括：

一单体释放源，具有一释放进口，以供引入一膜层形成材料进入该腔室体的该反应腔；以及

一等离子激发源被放置于该腔室体的该反应腔，以供激发所述膜层形成材料，其中该支撑架的所述支撑区位于所述单体释放源和所述等离子激发源之间，以一种所述基材适于被布置于所述单体释放源和所述等离子激发源之间的方式。

9.根据权利要求8所述的镀膜组件，其中该支撑架被安装于该腔室体的该反应腔中所述单体释放源和所述等离子激发源之间。

10.根据权利要求8所述的镀膜组件，其中该支撑架被操作而移动于该腔室体的该反应腔中所述单体释放源和所述等离子激发源之间。

11.根据权利要求10所述的镀膜组件，其中该支撑架的移动被选自以下组合：线性运动，曲线运动，滑动运动和旋转运动。

12.根据权利要求8所述的镀膜组件，其中所述等离子激发源被安装于该腔室体并与所述单体释放源相间隔。

13.根据权利要求8所述的镀膜组件，其中所述等离子激发源被安装于该支撑架于相对于所述单体释放源的该支撑架的一侧。

14.根据权利要求8所述的镀膜组件，其中该腔室体具有两面相对的侧壁，其中所述单体释放源和所述等离子激发源被分别地置于邻近该腔室体的该反应腔的相互对应的两侧壁的位置。

15.根据权利要求8所述的镀膜组件，其中该腔室体具有一侧壁，其中所述单体释放源和所述等离子激发源被置于该腔室体的该反应腔的邻近该腔室体的侧壁并远离且相互隔开的位置。