[实用新型]LDMOS器件以及LED驱动芯片

说明书

一种LDMOS器件以及LED驱动芯片，其中，LDMOS器件通过将场氧化层布置于漂移区的上表面，且将电阻条布置于场氧化层的上表面，电阻条与漂移区互不接触，并将电阻条的第一端和漏电极连接且电阻条的第二端靠近LDMOS器件的源极，从而实现了在LDMOS器件集成电阻条的同时，避免了电阻条对漂移区的影响，保证了漂移区各点的电场分布均匀，避免了LDMOS击穿电压的降低，解决了传统的技术方案中存在的无法提供一种集成漂移区电阻的LDMOS器件问题。LED驱动芯片通过加入恒功率电路和内部集成了电阻的LDMOS器件，在实现对光源的恒功率调节的同时，节省了LED驱动芯片以及其所在的系统的空间。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种LDMOS器件以及LED驱动芯片。

背景技术

目前，为了让LED灯能在电网电压波动时仍能保持亮度稳定，近年前，线性LED驱动芯片的设计加入了负载恒功率功能，当电网电压变高时，LED灯和LDMOS(LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)器件的漏端电压都会抬高，此时通过LDMOS器件的漏端的一个电阻，将漏端电压反馈至前级电路，经处理后，来调低LDMOS的栅极电压，于是LED灯的电流降低，LED灯的功率得以恒定，但是现有的技术方案一般是通过外接电阻到LDMOS器件的方式来实现。

因此，传统的技术方案中存在的无法提供一种集成漂移区电阻的LDMOS 器件问题。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种LDMOS器件以及LED驱动芯片，旨在解决传统的技术方案中存在的无法提供一种集成漂移区电阻的LDMOS器件问题。

本申请实施例的第一方面提了一种LDMOS器件，包括：

半导体衬底，形成在所述半导体衬底上表面的漂移区；

场氧化层，所述场氧化层布置于所述漂移区的上表面；以及

电阻条，所述电阻条布置于所述场氧化层的中间区段的上表面，所述电阻条的第一端与器件的漏电极连接与所述LDMOS器件的漏电极连接，所述电阻条的第二端靠近所述LDMOS器件的源极。

在一个实施例中，还包括：

开设有多个通孔的绝缘层，所述绝缘层布置于所述场氧化层的两端区段的上表面和所述电阻条的上表面，所述电阻条的第一端通过所述绝缘层的第一通孔的导电物质和所述漏电极连接。

在一个实施例中，还包括：

接触层，所述接触层布置于所述绝缘层上表面，所述接触层通过所述绝缘层的第二通孔的导电物质和所述电阻条的第二端连接。

在一个实施例中，所述漂移区包括弧线漂移区和直道漂移区，所述电阻条设置于所述弧线漂移区的上方或者所述直道漂移区的上方。

在一个实施例中，包括：所述电阻条的形状为直条形、蛇形、锯齿形或螺旋形。

在一个实施例中，所述电阻条的材料为多晶硅，所述电阻条的掺杂类型为 P型或N型。

在一个实施例中，还包括：

第一掺杂区，所述第一掺杂区为不同于第一导电类型的第二导电类型，所述第一掺杂区形成于所述漂移区的上表面，且与所述场氧化层相贴；

第二掺杂区，所述第二掺杂区为第一导电类型，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区间隔地形成于所述漂移区的上表面，且与所述场氧化层错位相对；

所述电阻条的第一端布置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的区域上方。

在一个实施例中，还包括：