[实用新型]LDMOS器件以及LED驱动芯片

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，形成在所述半导体衬底上表面的漂移区；

场氧化层，所述场氧化层布置于所述漂移区的上表面；以及

电阻条，所述电阻条布置于所述场氧化层的中间区段的上表面，所述电阻条的第一端与所述LDMOS器件的漏电极连接，所述电阻条的第二端靠近所述LDMOS器件的源极。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

开设有多个通孔的绝缘层，所述绝缘层布置于所述场氧化层的两端区段的上表面和所述电阻条的上表面，所述电阻条的第一端通过所述绝缘层的第一通孔的导电物质和所述漏电极连接。

3.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

接触层，所述接触层布置于所述绝缘层上表面，所述接触层通过所述绝缘层的第二通孔的导电物质和所述电阻条的第二端连接。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，包括：所述漂移区包括弧线漂移区和直道漂移区，所述电阻条设置于所述弧线漂移区的上方或者所述直道漂移区的上方。

5.如权利要求1-4任意一项所述的LDMOS器件，其特征在于，包括：所述电阻条的形状为直条形、蛇形、锯齿形或螺旋形。

6.如权利要求1-4任意一项所述的LDMOS器件，其特征在于，包括：所述电阻条的材料为多晶硅，所述电阻条的掺杂类型为P型或N型。

7.如权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

第一掺杂区，所述第一掺杂区为不同于第一导电类型的第二导电类型，所述第一掺杂区形成于所述漂移区的上表面，且与所述场氧化层相贴；

第二掺杂区，所述第二掺杂区为第一导电类型，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区间隔地形成于所述漂移区的上表面，且与所述场氧化层错位相对；

所述电阻条的第一端布置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的区域上方。

8.如权利要求7所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

为第二导电类型的阱区，所述阱区形成在所述半导体衬底的上表面，且沿第一方向与所述漂移区相邻设置；

为第一导电类型的第三掺杂区，所述第三掺杂区布置于所述阱区的上表面；以及

为所述第二导电类型的第四掺杂区，所述第四掺杂区布置于所述阱区的上表面且沿所述第一方向与所述第三掺杂区相邻设置，所述第三掺杂区与所述第四掺杂区形成PN结，所述PN结通过所述绝缘层的第三通孔的导电物质和源电极连接。

9.如权利要求8所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：多晶硅栅极，所述多晶硅栅极布置于所述阱区和所述漂移区的上方，所述多晶硅栅极通过所述绝缘层的第四通孔的导电物质和栅电极连接。

10.一种LED驱动芯片，其特征在于，包括：

恒功率电路，所述恒功率电路用于输出恒定功率的驱动信号；和

如权利要求9所述的LDMOS器件，所述LDMOS器件的所述漏电极用于和光源连接，所述LDMOS器件的所述接触层和所述恒功率电路的输入端连接，所述LDMOS器件的所述栅电极和所述恒功率电路的输出端连接，所述LDMOS器件的所述源电极用于接地。