[实用新型]一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置有效
| 申请号: | 202020423699.3 | 申请日: | 2020-03-27 | 
| 公开(公告)号: | CN211993633U | 公开(公告)日: | 2020-11-24 | 
| 发明(设计)人: | 李春琼 | 申请(专利权)人: | 福建省速卖通电子商务有限公司 | 
| 主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00;B28D7/04;H01L21/67 | 
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| 地址: | 362300 福建*** | 国省代码: | 福建;35 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 磁极 增压 原理 气动 平稳 半导体 切割 装置 | ||
本实用新型公开了一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置,其结构包括机仓、导轨、电控盒、增压平衡器、切割头、加工腔、检视板、支撑架,本实用新型的机仓作为晶圆切割的工作体,将晶圆放在增压平衡器表面置料板上,通电后凹槽中的动力轴带动磁性环、转轴同向运动,磁片转至对应磁性块位置时同性相斥,使其位移产生空气,压涡轮内部叶轮把进风口空气强制吸进,并经叶片的旋转压缩后,再进入管径越来越大的扩压通道排入出气管中,经压缩的空气被喷向置料板表面实现气动平稳目的,能够有效提高晶圆切割后的加工完整性。
技术领域
本实用新型是一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置,属于晶圆切割技术领域。
背景技术
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片,是制造半导体芯片的基本材料,硅晶板经过切段,滚磨,切片,倒角,抛光,激光刻,将硅片与板分离,即成为集成电路工厂的芯片原料。
现有晶圆切割装置加工时直接将晶圆放于台面上,切割后芯片原料分离,容易被加工过程中产生的作用力而发生位移现象,影响了原料的切割完整性。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型目的是提供一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置,以解决现有晶圆切割装置加工时直接将晶圆放于台面上,切割后芯片原料分离,容易被加工过程中产生的作用力而发生位移现象,影响了原料的切割完整性的问题。
为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置,其结构包括机仓、导轨、电控盒、增压平衡器、切割头、加工腔、检视板、支撑架,所述机仓上设内嵌式电控盒,所述电控盒接线相连一字型导轨,所述导轨上设有可直线位移的切割头,所述切割头设于加工腔内部之中,所述加工腔由机仓凹槽一体构成,所述机仓前壁装配有支撑架,所述加工腔内底部装设有增压平衡器。
进一步地,所述增压平衡器包括置料板、转轴、磁性环、磁性块、动力轴、增压涡轮、进风口、出气管,所述置料板安装在加工腔内底部表面上,且底槽配设垂立式转轴,所述转轴卡设穿接磁性环、动力轴中心凹槽,所述动力轴装设在对应两边进风口的中部位置处,所述进风口相连通增压涡轮气流层,所述增压涡轮下槽相径接出气管,所述出气管上口相垂对应间隔置料板表面,所述磁性块设在进风口对应表面两边的位置上,且与磁性环同性相斥。
进一步地,所述支撑架相嵌接检视板。
进一步地,所述切割头位于检视板靠内侧间隔处。
进一步地,所述检视板活动覆设在加工腔前槽壁面处。
进一步地,所述电控盒装配相导接支撑架。
进一步地,所述磁性环两边带有排列固定的磁片。
进一步地,所述进风口开设于置料板内部凹槽之中。
本实用新型一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置,机仓作为晶圆切割的工作体,将晶圆放在增压平衡器表面置料板上,通电后凹槽中的动力轴带动磁性环、转轴同向运动,磁片转至对应磁性块位置时同性相斥,使其位移产生空气,压涡轮内部叶轮把进风口空气强制吸进,并经叶片的旋转压缩后,再进入管径越来越大的扩压通道排入出气管中,经压缩的空气被喷向置料板表面实现气动平稳目的,能够有效提高晶圆切割后的加工完整性。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本实用新型一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置的结构示意图;
图2为本实用新型的增压平衡器装配结构示意图。
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