[实用新型]可精细控制温度的晶圆蒸发台有效
申请号: | 202020409416.X | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN211858602U | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 田英干 | 申请(专利权)人: | 嘉兴晶装电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 王大国 |
地址: | 314199 浙江省嘉兴市嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 精细 控制 温度 蒸发 | ||
本实用新型公开了可精细控制温度的晶圆蒸发台,包括真空蒸发器本体与设置在真空蒸发器本体上的真空泵,所述真空泵的外侧设置有吸音机构,所述吸音机构包括直角板与四个金属吸音板,所述直角板上设置有若干凸起筋,且凸起筋上设置有第一六角螺丝,相邻的两个所述金属吸音板之间设置有第一直角片,且第一直角片上设置有两个第二六角螺丝,所述直角板的底部贯穿有排气管,所述直角板一侧贯穿有第一导管,且真空泵上设置有第二导管,所述直角板的一侧通过第一螺栓固定安装有直角盒,且直角盒的内部设置有内腔。本实用新型利用多个金属吸音板实现对噪音的吸收,避免了噪音污染,同时实现了真空泵的快速散热,安全性高,实用性强。
技术领域
本实用新型涉及晶圆技术领域,尤其涉及可精细控制温度的晶圆蒸发台。
背景技术
晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片),由于是晶体材料,其形状为圆形,所以称为晶圆,晶圆是在真空环境下蒸发得出的。
目前用于晶圆生产的蒸发台在实际使用时仍存在一定的不足之处:由于蒸发台的真空环境需要利用真空泵实现,而真空泵在运行时会产生大量的噪音,造成噪音污染,因此,我们提出可精细控制温度的晶圆蒸发台。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的可精细控制温度的晶圆蒸发台。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
可精细控制温度的晶圆蒸发台,包括真空蒸发器本体与设置在真空蒸发器本体上的真空泵,所述真空泵的外侧设置有吸音机构,所述吸音机构包括直角板与四个金属吸音板,所述直角板上设置有若干凸起筋,且凸起筋上设置有第一六角螺丝,相邻的两个所述金属吸音板之间设置有第一直角片,且第一直角片上设置有两个第二六角螺丝,所述直角板的底部贯穿有排气管,所述直角板一侧贯穿有第一导管,且真空泵上设置有第二导管,所述直角板的一侧通过第一螺栓固定安装有直角盒,且直角盒的内部设置有内腔,所述直角盒上设置有第二直角片,且第二直角片上开设有若干透气孔,所述第二直角片通过安装螺钉固定安装在直角盒上,所述直角盒的顶部固定有进气管。
优选的,所述排气管与直角板焊接连接,且排气管的上端外表面与直角板的上端外表面相平齐。
优选的,相邻的两个所述金属吸音板通过两个第二六角螺丝与第一直角片固定连接,所述金属吸音板通过第一六角螺丝与凸起筋固定连接。
优选的,所述第一导管的一端与真空蒸发器本体的真空室相连通,且第一导管的另一端与真空泵的进风端相连通,所述第二导管的一端与真空泵的出风端相连通,且第二导管的另一端与进气管相连通。
优选的,所述真空泵通过第二螺栓固定安装在直角板上。
优选的,所述直角板的底部安装有四个万向轮,四个所述万向轮分别位于直角板底端外表面的四个拐角处。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型中通过设置吸音机构、直角板、金属吸音板、凸起筋、第一六角螺丝、第一直角片、第二六角螺丝、排气管、第一导管和第二导管,利用多个金属吸音板实现对噪音的吸收,避免了噪音污染。
2、本实用新型中通过设置直角盒、内腔、第二直角片、透气孔、安装螺钉和进气管,通过将真空本抽出的气体喷至真空泵本体上,实现了真空泵的快速散热。
3、本实用新型中通过设置万向轮,方便了人们移动真空泵,满足了实际的使用吸取。
综上所述,本实用新型利用多个金属吸音板实现对噪音的吸收,避免了噪音污染,同时实现了真空泵的快速散热,安全性高,实用性强。
附图说明
图1为本实用新型提出的可精细控制温度的晶圆蒸发台的整体结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造