[实用新型]烤箱控制系统及烤箱有效
申请号: | 202020285320.7 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN211507577U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 曾梓鑫;邱振中;文亚东;覃尚坛 | 申请(专利权)人: | 上海利扬创芯片测试有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;刘光明 |
地址: | 200000 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烤箱 控制系统 | ||
本实用新型公开一种烤箱控制系统,包括氮气输送装置、含氧量监控仪、温度采集装置、加热装置、计时器及控制装置,氮气输送装置用于输送氮气至烤箱腔体内,含氧量监控仪用于监控烤箱腔体内的含氧量,控制装置于含氧量下降至预设含氧值时控制加热装置开始加热,温度采集装置用于采集烤箱腔体内的温度信息,控制装置于烤箱腔体内的温度达到预设烘烤温度时控制计时器开始计算加热时长,并于加热时长达到预设烘烤时长时控制加热装置停止加热。本实用新型自动化程度高,实现了实时监控烤箱腔体内的烘烤温度、烘烤时长及含氧量,整个高温烘烤测试过程中无需人工监控。另,本实用新型还公开一种具有上述烤箱控制系统的烤箱。
技术领域
本实用新型涉及晶圆测试技术领域,尤其涉及一种自动化程度高的烤箱控制系统及烤箱。
背景技术
在晶圆生产加工完成后,为了验证晶圆芯片的性能,在晶圆测试流程中通常需要将晶圆放至烤箱中进行高温(如125℃、250℃等)烘烤。现阶段,一般是通过人工巡检来监控烤箱腔体内的烘烤温度、烘烤时长、含氧量等,耗费人力和时间过多,流程复杂,且无法实现实时监控。
因此,亟需提供一种自动化程度高,能够实时监控烤箱腔体内的烘烤温度、烘烤时长及含氧量的烤箱控制系统来解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种自动化程度高,能够实时监控烤箱腔体内的烘烤温度、烘烤时长及含氧量的烤箱控制系统及烤箱。
为了实现上述目的,本实用新型公开了一种烤箱控制系统,包括氮气输送装置、含氧量监控仪、温度采集装置、加热装置、计时器及控制装置,所述氮气输送装置用于输送氮气至烤箱腔体内,所述含氧量监控仪用于监控所述烤箱腔体内的含氧量并将所述含氧量传送至所述控制装置,所述控制装置于所述含氧量下降至预设含氧值时控制所述加热装置开始加热,所述温度采集装置用于采集所述烤箱腔体内的温度信息并将所述温度信息传送至所述控制装置,所述控制装置于所述烤箱腔体内的温度达到预设烘烤温度时控制所述计时器开始计时以计算加热时长,并于所述加热时长达到预设烘烤时长时控制所述加热装置停止加热。
较佳地,所述烤箱控制系统还包括信号模块,所述控制装置包括PC机,所述PC机借由所述信号模块与所述氮气输送装置、含氧量监控仪、温度采集装置、加热装置及计时器通信。
更佳地,所述PC机设有读码器,所述读码器用于读取待烘烤产品的条码,所述PC机依据所述条码调取与所述产品对应的所述预设含氧值、预设烘烤温度及预设烘烤时长。
较佳地,所述烤箱控制系统还包括超温保护器,所述超温保护器用于在所述烤箱腔体内的温度达到高温保护值时动作以切断烤箱的电源。
较佳地,所述烤箱控制系统还包括扰流件,所述扰流件与所述控制装置通讯连接,用以依据所述控制装置的指令动作以打乱所述烤箱腔体内的气体。
更佳地,所述扰流件为电机。
较佳地,所述烤箱控制系统还包括报警器,所述控制装置于所述加热装置停止加热后所述烤箱腔体内的温度下降至预设值时控制所述报警器报警。
较佳地,所述氮气输送装置包括用于计算和显示氮气流量的氮气流量计及与所述控制装置通信连接的用于控制氮气流量大小的电磁阀,所述控制装置依据所述含氧量和所述预设含氧值控制所述电磁阀的开度。
较佳地,所述加热装置包括与所述控制装置电连接的继电器和与所述继电器连接的发热丝,所述控制装置借由控制所述继电器的通断使所述发热丝开始加热或停止加热。
为了实现上述目的,本实用新型公开了一种烤箱,其包括用于容置待烘烤产品的烤箱本体和如上所述的烤箱控制系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造