[实用新型]一种抗高温形变的石墨舟片有效
申请号: | 202020200675.1 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN211208473U | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 许琳媛 | 申请(专利权)人: | 浙江华熔科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673 |
代理公司: | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 沈涛 |
地址: | 313000 浙江省湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高温 形变 石墨 | ||
本实用新型公开了一种抗高温形变的石墨舟片,包括舟片本体、开设在舟片本体上的若干间隔分布的硅片腔位、设于所述硅片腔位周边的若干卡点以及用于进行舟片间串接的连接孔,所述舟片本体前表面或/和后表面设有若干凹槽,所述凹槽沿舟片本体宽度方向贯通开设。通过在舟片本体表面间隔开设凹槽来减小石墨舟片受热变形量,确保插片精度和镀膜效果,提高舟片的使用寿命;与现有的石墨舟片相比,本实用新型可将舟片变形量由1~2mm降至至0.5mm以内,使用寿命提高100%以上,有效降低舟片更换频率,减少镀膜成本。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种抗高温形变的石墨舟片。
背景技术
PECVD镀膜是太阳能电池片生产过程中的一道工序,其作用是在硅片的表面镀上一层减反射膜,一般是氮化硅薄膜,从而提高电池的转换效率。在镀膜反应中,石墨舟作为硅片的载体,是PECVD镀膜中不可或缺的工具,石墨舟由若干石墨舟片组装而成,硅片通过石墨舟片上的卡点固定和定位。由于PECVD镀膜温度在500℃左右,石墨舟在该高温环境下长期使用会造成石墨舟片长度增长1~2mm,而由于石墨舟长度超出设计尺寸,会导致插片机无法保证插片精度,从而出现碎片、掉片现象;舟片尺寸的变化还会使卡点位置发生变化,导致太阳能硅片定位不准,硅片镀膜后会出现色差或者是接触点烧焦现象,严重影响镀膜效果。目前,针对上述问题,通常是直接更换石墨舟片,使得石墨舟片消耗量大,镀膜成本提高,舟片的使用寿命难以提升。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提供了一种抗高温形变的石墨舟片,石墨舟片受热变形量小,使用寿命显著提升。
为达到上述目的,本实用新型采用的具体技术方案如下:
一种抗高温形变的石墨舟片,包括舟片本体、开设在舟片本体上的若干间隔分布的硅片
腔位、设于所述硅片腔位周边的若干卡点以及用于进行舟片间串接的连接孔,所述舟片本体前表面或/和后表面设有若干凹槽,所述凹槽沿舟片本体宽度方向贯通开设。石墨舟片通常是竖直置于石墨舟中,本实用新型所述的舟片本体的前表面和后表面仅仅是为了描述石墨舟片的两个表面并不强调其方位。硅片腔位可以贯穿舟片本体即舟片的两个表面共用硅片腔位,也可以是舟片的两个表面分别开设硅片腔位。
优选的,所述凹槽设于每个硅片腔位的一侧或两侧。所述的一侧或两侧指的是舟片前表面或/和后表面每个硅片腔位左右两边的舟片本体上至少设有一个凹槽,即每个硅片腔位区域至少设有一凹槽。
优选的,所述凹槽于舟片本体的前表面或/和后表面等间隔设置。
优选的,所述凹槽在所述舟片本体的前/后表面开设的数量不少于所述硅片腔位的数量。
优选的,所述凹槽长度与所述舟片本体宽度相等,即凹槽沿舟片本体宽度方向竖直贯通开设。
优选的,所述凹槽深度0.10~0.20mm,宽度0.20~0.35mm。
优选的,所述凹槽的截面形状为矩形、三角形、U形或者弧形。所述的截面指凹槽在舟片本体厚度方向上的截面。
硅片置于石墨舟镀SiN膜的过程中,石墨舟片也会被镀上SiN,且镀膜过程一直处于高温环境,而SiN和石墨的热胀冷缩率不同,因此石墨在该过程中会被拉长,导致出现插片不准甚至掉片、碎片现象。基于上述分析,本实用新型通过在舟片本体前表面或/和后表面沿舟片本体宽度方向贯通开设若干凹槽来解决该问题,舟片开槽后,使得舟片上镀的SiN平面不连续,无法形成连续的张力,即使长期处于高温,凹槽可以释放张力,局部的内膨胀对舟片的影响与未开槽舟片产生的整体膨胀相比大大降低,因此舟片变形量小。更加优化的,针对每一个硅片腔位区域都设置了至少一个凹槽,凹槽在舟片本体前或/和后表面等间隔分布,凹槽在每个舟片本体表面开设的数量不少于所述硅片腔位的数量,以减小区域间所受内膨胀力的差异,确保张力能得到充分、快速、均匀的释放,进一步提高舟片的受热稳定性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的