[实用新型]一种抗高温形变的石墨舟片有效
申请号: | 202020200675.1 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN211208473U | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 许琳媛 | 申请(专利权)人: | 浙江华熔科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673 |
代理公司: | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 沈涛 |
地址: | 313000 浙江省湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高温 形变 石墨 | ||
1.一种抗高温形变的石墨舟片,包括舟片本体(1)、开设在舟片本体(1)上的若干间隔分布的硅片腔位(2)、设于所述硅片腔位(2)周边的若干卡点(3)以及用于进行舟片间串接的连接孔(4),其特征在于:所述舟片本体(1)前表面或/和后表面设有若干凹槽(5),所述凹槽(5)沿舟片本体(1)宽度方向贯通开设。
2.根据权利要求1所述的抗高温形变的石墨舟片,其特征在于:所述凹槽(5)设于每个硅片腔位(2)的一侧或两侧。
3.根据权利要求2所述的抗高温形变的石墨舟片,其特征在于:所述凹槽(5)于舟片本体(1)的前表面或/和后表面等间隔设置。
4.根据权利要求1~3任一所述的抗高温形变的石墨舟片,其特征在于:所述凹槽(5)在所述舟片本体(1)的前/后表面开设的数量不少于所述硅片腔位(2)的数量。
5.根据权利要求1所述的抗高温形变的石墨舟片,其特征在于:所述凹槽(5)长度与所述舟片本体(1)宽度相等。
6.根据权利要求1或5所述的抗高温形变的石墨舟片,其特征在于:所述凹槽(5)深度0.10~0.20mm,宽度0.20~0.35mm。
7.根据权利要求1所述的抗高温形变的石墨舟片,其特征在于:所述凹槽(5)的截面形状为矩形、三角形、U形或者弧形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的