[实用新型]一种预切割的碳化硅晶圆片有效
| 申请号： | 202020131342.8 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN211350578U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈为彬;林志东;陶永洪;史春林;程江涛;吴垚鑫 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 切割 碳化硅 晶圆片 | ||
1.一种预切割的碳化硅晶圆片，其特征在于：包括碳化硅衬底、设于所述衬底正面的功能层和设于所述衬底背面的背金层，所述功能层设有若干器件区以及位于相邻器件区之间的切割道，所述背金层设有与所述切割道相对应的开槽区，所述开槽区的底部设有至少两条与对应切割道的延伸方向平行并深入所述衬底的凹槽。
2.根据权利要求1所述的晶圆片，其特征在于：所述开槽区的宽度小于对应的切割道的宽度。
3.根据权利要求1所述的晶圆片，其特征在于：所述凹槽深入所述衬底的深度为0.5～200um。
4.根据权利要求1所述的晶圆片，其特征在于：所述开槽区内的凹槽的宽度为1～20um，且相邻凹槽的间距为1～20um。
5.根据权利要求1所述的晶圆片，其特征在于：所述背金层的厚度为1～5um。
6.根据权利要求1所述的晶圆片，其特征在于：所述开槽区通过设置复数个所述凹槽形成波浪状表面。
7.根据权利要求1或6所述的晶圆片，其特征在于：所述开槽区底部附有所述背金层金属和碳化硅的激光熔融物。
8.根据权利要求1所述的晶圆片，其特征在于：所述开槽区的底部与所述衬底背面平齐，所述凹槽由所述底部向所述衬底内部延伸。
9.根据权利要求1所述的晶圆片，其特征在于：所述衬底的厚度为50～600um。
10.根据权利要求1所述的晶圆片，其特征在于：所述背金层是Au、Ag、Cu或上述金属与Ti、Ni中至少一种的叠层结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
