[实用新型]一种功率模块及电子设备有效
| 申请号: | 202020117568.2 | 申请日: | 2020-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN210956673U | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
| 发明(设计)人: | 曹俊;敖利波;史波;肖婷;曾丹;江伟 | 申请(专利权)人: | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L25/18;H01L23/367;H02M7/5387;H02M1/42;H02M7/06 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘红彬 |
| 地址: | 519015 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功率 模块 电子设备 | ||
1.一种功率模块,其特征在于,包括:由多块板体拼接而成的具有立体结构的基体,其中,所述基体具有多个面,且至少两个面对应的板体上设有功能芯片,相互对应、且位于不同板体上的功能芯片之间通过引线键合。
2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述基体为长方体状,所述多块板体包括顶板、底板以及四个侧板。
3.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块具有的功能芯片包括:
用于构成三相全桥逆变电路的三个第一IGBT芯片和三个第一FRD芯片;
用于驱动所述三相全桥逆变电路的三相全桥驱动HVIC芯片;
用于构成Boost-PFC电路的一个第二IGBT芯片、一个第二FRD芯片和一个IGBT栅极驱动芯片;
用于构成整流电路的四个二极管芯片。
4.根据权利要求3所述的功率模块,其特征在于,所述三相全桥逆变电路的每一相均包括一个第一IGBT芯片和一个第一FRD芯片,所述基体的三个侧板上分别设有所述三相全桥逆变电路一相中的两个芯片。
5.根据权利要求3所述的功率模块,其特征在于,所述基体包括连接于各所述板体围设而成的空间内且平行于所述基体的顶板的中间板,所述三相全桥驱动HVIC芯片设于所述中间板上。
6.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,所述第二IGBT芯片、所述第二FRD芯片和所述IGBT栅极驱动芯片均设于所述基体的第四个侧板上。
7.根据权利要求3所述的功率模块,其特征在于,四个所述二极管芯片均设于所述基体的顶板上。
8.根据权利要求2-6任一项所述的功率模块,其特征在于,所述基体的底板上设有供所述功率模块的引脚穿出的孔,所述功率模块的引脚由所述底板上的孔穿出,并与所述底板上的孔密封连接。
9.根据权利要求1-6任一项所述的功率模块,其特征在于,所述基体内部为真空,或者所述基体内部设有充填体,所述充填体封堵所述基体内部的空隙。
10.根据权利要求1-6任一项所述的功率模块,其特征在于,各所述板体均为覆铜陶瓷基板,相邻的两块所述板体之间焊接连接。
11.一种电子设备,其特征在于,设有权利要求1-10任一项所述的功率模块。
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