[实用新型]一种芯片电阻器有效
| 申请号: | 202020094866.4 | 申请日: | 2020-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN211265145U | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
| 发明(设计)人: | 蔡东谋;简高柏;赵玮玮;张琦 | 申请(专利权)人: | 国巨电子(中国)有限公司 |
| 主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C1/14;H01C17/06;H01C17/232;H01C17/24 |
| 代理公司: | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人: | 杨瑞玲;朱亦倩 |
| 地址: | 215011 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 电阻器 | ||
本实用新型公开了一种芯片电阻器,所述芯片电阻器包括基板、电极、电阻层、保护层和镀层;所述基板具有相对设置的上表面和下表面,所述电极分别设置在所述上表面和下表面上,所述电阻层在所述上表面上与所述电极搭接,所述保护层附着在所述电阻层上,所述基板还包括两相对设置的侧端面,所述电极分别设置在所述侧端面上,设置在所述基板的侧端面上的电极的表面上镀有镀层。本实用新型所述的芯片电阻器可以大量生产,性能更好,电阻的温度系数更低,满足市场需求。
技术领域
本实用新型涉及芯片电阻器领域,尤其涉及一种芯片电阻器。
背景技术
芯片电阻器已成为各种电子产品不可或缺的元器件,一定程度上产品的性能、应用范围都与其内应用的芯片电阻器的特性参数息息相关,相应的,如果要扩大产品的应用范围,提高产品性能等,都还是有必要从芯片电阻器入手的,随着科技技术水平的提升,芯片电阻器也得到了长足的发展,但也还是存在着一些需要被优化的问题的。
现有芯片电阻器的温度系数(也称温漂,记为TCR,表示电阻当温度改变1℃时,电阻值的相对变化,当温度每升高1℃时,导体电阻的增加值与原来电阻的比值,单位为ppm/℃)过大,致使其应用范围较小不能满足市场需求,且损坏率较高,因此需要提供一种电阻温度系数小的芯片电阻器。
现以某一精密电阻为例,解读电阻器的温漂,精密电阻的TCR为 50ppm/℃,工作温度为20~60℃之间,即温度跨度为40℃,会引起基准电压50*40=2000ppm/℃的温度漂移,这种电阻温度系数小于等于50ppm/℃的电阻器具有更低功耗、小体积和高精度等优势。
然而,这种温度系数小的电阻器的性能虽好,但是生产效率低下,其需要通过高温烧结炉的制作工序,而电阻的TCR的生产控制又与高温烧结炉的最高温度相关,现有的测试电阻TCR水平的方法是试误法,即设定高温烧结炉的最高温度然后通过此温度来检测电阻TCR水平,这种方法效率低下,每次检测出的TCR水平不论是过高还是过低都需再重新选取温度曲线,再重新用试误法检测电阻TCR水平,直至其符合正式生产的规定。进一步的,每次重新选取温度曲线须等待约0.5~1小时,且一般需经历2~4次温度曲线的更换,足以说明目前技术对电阻TCR水平的控制还存在极大的不足,造成了生产效率低下。
进一步的,现有材料中电阻浆料本身的TCR水平局限在±30ppm/℃,范围本身就较窄,即使经过多次温度曲线的变换,电阻TCR±50ppm/℃的达标率仍低于50%,如图1产品TCR和电阻浆料TCR随电阻阻值变化的曲线图所示,实际产品的TCR并不能与电阻浆料本身的TCR完全保持一致,因此,在生产过程中废品率较高,材料的利用率也降低,故现有技术中电阻温度系数较低的电阻器是比较少有的。
因此,亟需提出一种新的技术方案来解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是解决现有技术中存在的问题,提供一种芯片电阻器。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:
一种芯片电阻器,包括基板、电极、电阻层、保护层和镀层;
进一步的,所述基板具有相对设置的上表面和下表面,所述电极分别设置在所述上表面和下表面上,所述电阻层在所述上表面上与所述电极搭接,所述保护层附着在所述电阻层上,
进一步的,所述基板还包括两相对设置的侧端面,所述电极分别设置在所述侧端面上,设置在所述基板的侧端面上的电极的表面上镀有镀层。
进一步的,所述基板为薄板,所述电极包括正面电极、背面电极和侧面电极,
进一步的,所述正面电极包括两个,其分别设置在所述上表面上且分别靠近所述基板的侧端面;
进一步的,所述背面电极包括两个,其分别设置在所述下表面上且分别靠近所述基板的侧端面;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国巨电子(中国)有限公司,未经国巨电子(中国)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020094866.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





