[发明专利]一种显示器件及其制备方法在审
申请号: | 202011644853.0 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN114695751A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 侯文军;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 朱阳波;刘芙蓉 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种显示器件及其制备方法。所述显示器件的制备方法包括步骤:将基板划分成红光子像素区域、绿光子像素区域、蓝光子像素区域;在所述红光子像素区域、绿光子像素区域、蓝光子像素区域内形成第一电极;在所述红光子像素区域的第一电极上和所述绿光子像素区域的第一电极上分别形成红光量子点发光层和绿光量子点发光层;在所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光子像素区域的第一电极上形成蓝光量子点发光层;在所述蓝光量子点发光层上形成第二电极,分别得到红光子像素、绿光子像素和蓝光子像素。本发明上述方法避免红绿蓝三种子像素在同时打印时红色墨水溢流到蓝色子像素区域内的问题,从而避免蓝光子像素发光淬灭的问题。
技术领域
本发明涉及显示器件技术领域,尤其涉及一种显示器件及其制备方法。
背景技术
由于量子点独特的光电性质,例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等,基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外,QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势,因而有望成为下一代的显示技术。
QLED器件工作时需要注入电子和空穴,最简单的QLED器件由阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极组成。在QLED器件中,量子点发光层夹在电荷传输层中间,当正向偏压加到QLED器件两端时,电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入量子点发光层,在量子点发光层进行复合发光。
喷墨打印(inkjet printing)是一种重要的实现RGB三原色像素的溶液加工技术,采用该技术的材料利用率高,且无需使用掩膜板可实现图案化,同时具有工艺简单、成本低廉的特点,是制作QLED显示屏最具潜力的彩色化成膜技术。影响喷墨印刷技术制备显示器件良率的关键因素之一是喷墨打印到像素内的墨水溢流问题,例如同时打印红绿蓝三种墨水时,红色墨水溢流到蓝色子像素内就会导致蓝色子像素的发光淬灭。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明提出了一种显示器件及其制备方法,旨在解决现有同时打印红绿蓝三种墨水时,红色墨水溢流到蓝色子像素内的问题。
本发明的技术方案如下:
一种显示器件的制备方法,所述显示器件包括呈阵列排列的若干像素,每个像素包括呈阵列排列的红光子像素、绿光子像素、蓝光子像素,其中,所述显示器件的制备方法包括步骤:
将基板划分成红光子像素区域、绿光子像素区域、蓝光子像素区域;
在所述红光子像素区域、绿光子像素区域、蓝光子像素区域内形成第一电极;
在所述红光子像素区域的第一电极上和所述绿光子像素区域的第一电极上分别形成红光量子点发光层和绿光量子点发光层;
在所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光子像素区域的第一电极上形成蓝光量子点发光层;
在所述蓝光量子点发光层上形成第二电极,分别得到红光子像素、绿光子像素和蓝光子像素。
可选地,所述在所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光子像素区域的第一电极上形成蓝光量子点发光层的步骤,具体包括:
在所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层上形成第一电子传输层;
在所述第一电子传输层上和蓝光子像素区域的第一电极上整面涂布蓝光量子点发光层。
可选地,在所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光子像素区域的第一电极上整面涂布蓝光量子点发光层。
可选地,形成红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光量子点发光层的方法均为溶液法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择