[发明专利]一种分支型腔半导体可调谐激光器及制备方法

权利要求书

1.一种分支型腔半导体可调谐激光器，其特征在于，包括：

第一光栅(1)，具有第一周期；

至少一个第二光栅(5)和第三光栅(7)，分别具有第二周期和第三周期，其位于所述第一光栅(1)一端的分支上；

多模干涉器(4)，用于连接所述第一光栅(1)和所述至少一个第二光栅(5)和第三光栅(7)；

其中，所述第一光栅(1)与第二光栅(5)进行选模时，通过所述多模干涉器(4)，得到第一波长范围的激光；所述第一光栅(1)与第三光栅(7)进行选模时，通过所述多模干涉器(4)得到第二波长范围的激光；所述第一波长范围与第二波长范围连续；

其中，在所述分支型腔半导体可调谐激光器测试时，所述第一光栅(1)必须加电，所述第二光栅(5)和第三光栅(7)选择其中一个进行加电，待测试结束后，转而给所述第二光栅(5)和第三光栅(7)中的另一个进行加电，第二光栅(5)和第三光栅(7)不可同时加电。

2.根据权利要求1所述的分支型腔半导体可调谐激光器，其特征在于，所述激光器在所述第一光栅(1)和多模干涉器(4)之间还包括：

相位调节区(2)，其上有电注入，用于相位的精细调谐。

3.根据权利要求2所述的分支型腔半导体可调谐激光器，其特征在于，所述激光器在所述第一光栅(1)和多模干涉器(4)之间还包括：

增益区(3)，其上有电注入，用于给整个Y型腔半导体可调谐激光器提供增益。

4.根据权利要求3所述的分支型腔半导体可调谐激光器，其特征在于，所述第一光栅(1)、相位调节区(2)、增益区(3)、至少一个第二光栅(5)和第三光栅(7)之间均进行电隔离，以实现分区注电。

5.根据权利要求2所述的分支型腔半导体可调谐激光器，其特征在于，所述激光器整体是有源的，材料为半导体外延材料，泵浦方式为电注入。

6.根据权利要求1所述的分支型腔半导体可调谐激光器，其特征在于，所述多模干涉器(4)与所述至少一个第二光栅(5)和第三光栅(7)连接处为弧形波导或直波导。

7.根据权利要求6所述的分支型腔半导体可调谐激光器，其特征在于，所述多模干涉器(4)为多模干涉自成像耦合区。

8.一种根据权利要求1～7任一所述的分支型腔半导体可调谐激光器的制备方法，包括：

S1，在外延片上生长二氧化硅保护层；

S2，通过多次光刻或刻蚀将图形依次转移到所述外延片上；

S3，去除残余二氧化硅，重新生长二氧化硅用做绝缘层，光刻并刻蚀开注电窗口并生长P面金属；

S4，光刻并腐蚀金属以图形化电极，形成电隔离；

S5，对所述外延片背面减薄磨抛；

S6，在所述外延片背面生长N面金属，划片解理后制得所述分支型腔半导体可调谐激光器。