[发明专利]封装件及其形成方法

说明书

本发明公开了一种封装件及其形成方法。一种形成封装件的方法，所述方法包括：在载体的上方放置芯片层，所述芯片层包括多个芯片联接器和正面朝下的多个芯片，其中在所述多个芯片联接器上方的表面具有多个第一凸点；在所述载体的上方对所述芯片层进行模塑处理以形成塑封结构；对所述塑封结构进行减薄处理，以暴露出所述多个第一凸点；在经减薄的塑封结构上方添加金属层；去除所述载体以形成封装件主体，并在所述封装件主体的下方添加重布线层和第二凸点；以及分割所述封装件主体以形成多个所述封装件。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种封装件及其形成方法。

背景技术

目前，半导体集成电路所需的功能越来越多，所需的计算速度越来越快，在这种形势下，业界已经开始在芯片堆叠技术的研发上增加投入，以探索在芯片堆叠技术中更有效的解决方案。然而，传统的晶圆级封装(WLP)技术无法实现芯片的堆叠。而在传统的芯片堆叠技术中，堆叠大多是在最终组装中完成的，并且需要利用硅片通孔(TSV，ThroughSilicon Via)、玻璃基板通孔(TGV，Through Glass Via)、塑封层通孔(TMV，Through MoldVia)或者引线键合(Wire-bond)等技术来实现堆叠芯片间的竖直联接。传统堆叠技术的封装工艺较复杂并且成本较高。

发明内容

本发明实施例提供一种形成封装件的方案，该封装件包含堆叠的多个芯片。

本发明的第一方面提供了一种形成封装件的方法，所述方法包括：在载体的上方放置芯片层，所述芯片层包括多个芯片联接器和正面朝下的多个芯片，其中在所述多个芯片联接器上方的表面具有多个第一凸点；在所述载体的上方对所述芯片层进行模塑处理以形成塑封结构；对所述塑封结构进行减薄处理，以暴露出所述多个第一凸点；在经减薄的塑封结构上方添加金属层；去除所述载体以形成封装件主体，并在所述封装件主体的下方添加重布线层和第二凸点；以及分割所述封装件主体以形成多个所述封装件。

所述多个芯片联接器可以是有源联接器件或无源联接器件。

所述多个芯片联接器可以被设置成在竖直方向上包含至少一个导电通道。

所述封装件可以包括至少一个被分割的芯片联接器、第一芯片和被分割的金属层，其中，所述第一芯片能够通过所述至少一个被分割的芯片联接器和所述重布线层电联接至所述被分割的金属层。

所述多个芯片联接器由一种或多种半导体材料、一种或多种无机材料、一种或多种有机材料和/或一种或多种金属材料形成。

在所述金属层内可以集成如下电子器件中的一种或多种：I/O端口、无源器件、射频天线、电磁干扰屏蔽器件和散热器件。

所述多个芯片联接器可以由如下的一种或多种半导体材料形成：硅、碳化硅、砷化镓和氮化镓。

所述多个芯片联接器可以由如下的一种或多种无机材料形成：玻璃和陶瓷。

所述多个芯片联接器可以由如下的一种或多种封装基板的制程和材料形成：印刷电路基板、塑封基板和柔性电路基板。

所述多个芯片联接器可以由金属基板的制程和材料形成，所述金属基板采用如下的一种或多种金属材料及其合金材料：铜、铝和铁。

在所述金属层的上方可以放置并组装如下电子器件中的一种或多种：集成电路模块、微机电系统、光电器件和无源器件。