[发明专利]一种微型发光二极管结构的制造方法

说明书

本发明提出一种微型发光二极管结构的制造方法，所述微型发光二极管结构的制造方法包括：提供一生长基板；形成一缓冲层于所述生长基板上；形成第一半导体层于所述缓冲层上；形成发光层于所述第一半导体层上；形成第二半导体层于所述发光层上；将所述第一半导体层、发光层及第二半导体层区分成多个微发光二极管结构，其中每一所述多个微发光二极管结构包括部分的所述第一半导体层、发光层及第二半导体层区。通过本发明提供的一种微型发光二极管结构的制造方法，可以高效的同时获得多个微发光二极管结构。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种微型发光二极管结构的制造方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro LED)是目前热门研究的下一代显示器的光源。微型发光二极管显示器具有低功率消耗、高亮度、超高分辨率、超高色彩饱和度、响应速度快、能耗低，及寿命长等优点。此外，微型发光二极管显示器的功率消耗量约为液晶显示器(LCD)的10％或有机发光二极管显示器(OLED)的50％。而与同样是自发光的OLED相比较，亮度高了30倍，且分辨率可以达到1500PPI(像素密度，Pixels Per Inch)。微型发光二极管显示器的的这些明显的优势，使得它有望取代现在的OLED和LCD，成为下一代的显示器。微型发光二极管目前还无法量产，没有具体有效的制造方法。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种微型发光二极管结构的制造方法，可以同时获得获得多个微光二极管结构。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种微型发光二极管结构的制造方法，该微型发光二极管结构的制造方法包括：

提供一生长基板；

形成一缓冲层于所述生长基板上；

形成第一半导体层于所述缓冲层上；

形成发光层于所述第一半导体层上；

形成第二半导体层于所述发光层上；

将所述第一半导体层、发光层及第二半导体层区分成多个微发光二极管结构，其中每一所述多个微发光二极管结构包括部分的所述第一半导体层、发光层及第二半导体层区。

在本发明一实施例中，所述缓冲层是通过物理气相沉积来形成。

在本发明一实施例中，所述微型发光二极管结构的制造方法还包括：在分离后的所述第一半导体层上形成第一电极，在分离后的所述第二半导体层上形成第二电极。

在本发明一实施例中，所述微型发光二极管结构的制造方法还包括：移除所述生长基板和所述缓冲层。

在本发明一实施例中，所述微型发光二极管结构的制造方法还包括：在所述第二半导体层上形成钝化层。

在本发明一实施例中，分离后的所述多个微发光二极管结构是垂直导通型的发光二极管结构。

在本发明一实施例中，区分成多个所述微发光二极管结构之前，所述微型发光二极管结构的制造方法还包括：

形成多个第一通道，且使用导体材料来填充通道并接触所述第一半导体层；

形成多个第二通道，且使用导体材料来填充通道并接触所述第二半导体层。

在本发明一实施例中，所述微型发光二极管结构的制造方法还包括：

在所述第一通道及第二通道的导体材料上形成锡球。

在本发明一实施例中，所述微型发光二极管结构的制造方法还包括：

在所述第二半导体层上形成第二电极；

形成绝缘层，其中所述绝缘层与所述第二电极的侧面连接；