[发明专利]一种微型发光二极管结构的制造方法有效
| 申请号： | 202011626200.X | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112768571B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈卫军;刘美华 | 申请（专利权）人： | 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 529000 广东省江门市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微型 发光二极管 结构 制造 方法 | ||
1.一种微型发光二极管结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一生长基板；形成一缓冲层于所述生长基板上；
形成第一半导体层于所述缓冲层上；
形成发光层于所述第一半导体层上；
形成第二半导体层于所述发光层上；
在所述第二半导体层上形成第二电极；
在所述第二电极的一侧形成第一凹部，所述第一凹部穿过所述第二半导体层、所述发光层、所述第一半导体层以及部分所述缓冲层；
在所述第一凹部内形成绝缘层，其中所述绝缘层与所述第二电极的侧面连接；
在所述第一凹部的一侧形成第二凹部，所述第二凹部穿过所述第二半导体层、所述发光层、所述第一半导体层以及部分所述缓冲层；
在所述第二凹部内形成第二电极延长结构，连接所述第二电极，且覆盖所述绝缘层；
在所述第一半导体层上形成第一电极；
在所述第二半导体层上形成钝化层；
将所述第一半导体层、发光层及第二半导体层区分成多个微发光二极管结构，其中每一所述多个微发光二极管结构包括部分的所述第一半导体层、发光层及第二半导体层。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管结构的制造方法，其特征在于：所述缓冲层是通过物理气相沉积来形成。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述微型发光二极管结构的制造方法还包括：移除所述生长基板和所述缓冲层。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管结构的制造方法，其特征在于：分离后的所述多个微发光二极管结构是垂直导通型的发光二极管结构。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述微型发光二极管结构的制造方法还包括：
在所述第二电极延长结构及所述第一电极上形成锡球。
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