[发明专利]一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法有效
申请号: | 202011620132.6 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN112827610B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 吴银雪 | 申请(专利权)人: | 东和半导体设备研究开发(苏州)有限公司 |
主分类号: | B02C19/18 | 分类号: | B02C19/18;B02C1/00;B02C23/00 |
代理公司: | 泉州市兴博知识产权代理事务所(普通合伙) 35238 | 代理人: | 易敏 |
地址: | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 低温 介入 半导体材料 粉碎 装置 方法 | ||
本发明公开了一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,包括从左到右并排设置的第一底架和第二底架,第二底架顶部的右侧设置有一次粉碎机构,第一底架内壁的底部设置有低温介入机构,第一底架内壁上方的两侧均转动连接有转轴,本发明涉及半导体材料加工技术领域。该采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,通过在第二底架顶部的右侧设置一次粉碎机构,第一底架内壁的底部设置低温介入机构,利用低温介入机构中的低温箱、冷凝器、控制箱和导线,可以先行对半导体材料进行脆化处理,后续粉碎过程更加容易进行,配合一次粉碎机构进行粉碎箱内的往复碾压过程,对半导体材料的初步粉碎过程,减少粉碎时间,提升粉碎效率。
技术领域
本发明涉及半导体材料加工技术领域,具体为一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料;半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。
参考中国专利,一种半导体材料粉碎装置(公开号:CN206996775U、公开日:2018-02-13),该半导材料粉碎装置,通过设置磨盘、磨板、凸起和凹槽,达到了对半导体材料的研磨破碎,研磨破碎使破碎的更彻底,破碎成完全的粉末状,通过防护罩,达到了防止磨盘转动使破碎后的粉末飞出收集范围,通过设置凸起和凹槽为三角形,达到了对材料的彻底破碎,同时研磨破碎效率高,节省了人力物力;
参考中国专利,一种半导体材料粉碎装置(公开号:CN204564206U、公开日:2015-08-19),利用升降装置来带动粉碎板重复进行上升或下降的过程,使粉碎板对粉碎槽内的母合金进行破碎处理,机械化操作,可以避免破碎的不均匀性,产能可提高一倍以上,既减少了人工费用又减少了母合金的浪费,降低了生产成本和能源消耗。同时可以解决人工破碎时操作人员容易受伤的难题。
但是现有的半导体材料粉碎过程仍存在下列问题:
1、现有的半导体材料粉碎过程,由于半导体材料本身硬度较高,导致后续粉碎过程不容易进行,并且半导体材料单次粉碎的时间较长,导致半导体材料粉碎效率较低;
2、现有的半导体材料粉碎过程,单次粉碎半导体材料的过程,不能很好的去除半导体材料中结块颗粒,而采用多次相同的粉碎操作会导致半导体材料接触位置难以发生改变,粉碎的精度较低;
3、现有的半导体材料粉碎过程,粉碎的空间较大,导致半导体材料中间部分难以进行很好的粉碎处理,并且需要借助人工进行下料,浪费大量的人力,智能化程度低。
为此,本发明提出了一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,以解决上述提到的问题。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法,解决了现有的半导体材料粉碎过程,半导体材料本身硬度较高,导致后续粉碎过程不容易进行,粉碎效率较低,粉碎的精度较低,粉碎的空间较大,并且需要借助人工进行下料的问题。
(二)技术方案
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