[发明专利]一种提高碳化硅纯度的处理方法

说明书

本发明公开了一种提高碳化硅纯度的处理方法，涉及碳化硅生产技术领域，包括：取一定量的成品碳化硅，并利用研磨设备获得碳化硅粉末；将获取的碳化硅粉末，倒入盛放有浮选试剂的容器中，并充分混合；将混合溶液倒入一体式浮选设备中，并继续添加浮选试剂的水溶液，直至浮选试剂的液位距离一体式浮选设备添加口高度的五分之一处；利用所述一体式浮选设备对碳化硅粉末进行纯化处理，直至完全纯化；排出纯化后的碳化硅粉末，烘干即可所使用的一体式浮选设备，是利用三氧化二铁与浮选试剂的相互作用，使得三氧化二铁表面的疏水性增强，进而让碳化硅中的三氧化二铁杂质会以泡沫的形式漂浮在浮选试剂溶液的表面，从而达到进一步纯化碳化硅的目的。

技术领域

本发明涉及碳化硅生产技术领域，具体为一种提高碳化硅纯度的处理方法。

背景技术

碳化硅的优点有很多，不同工艺应用碳化硅的粒度也就不一样，因为碳化硅具有较高的熔点，以及较高的硬度，这样使之碳化硅在工业方面，炼钢铸造企业，陶瓷行业，化工行业，航天科技等行业中占有重要的地位。

但是并不是每个事物都是完美的，碳化硅产品也是如此，特别是，西北冶炼碳化硅原块过程中，不可避免的会产生一些杂质，主要是三氧化二铁。

现有技术，针对碳化硅中所含有三氧化二铁杂质的去除，通常做法如下：

一种是酸碱中和反应，这是在工业上最常用且最有效的去除杂质的方法，让物质中所包含的杂质与对应试剂发生中和反应，生成该杂质对应的沉淀物，但是这种做法对环境的污染较大，需要消耗大量的成本去对反应后的溶液进行处理，从而达到排放标准，更有甚者，偷偷进行排放，对环境造成的破坏巨大；

另外一种，如中国专利公开的一种碳化硅砂的磁选装置(公开号CN206549829U)，该专利技术针对碳化硅中的三氧化二铁是利用磁选的方式进行除杂处理，但是三氧化二铁并非存在于碳化硅颗粒与碳化硅颗粒之间，而是存在与碳化硅颗粒的成分中，因此简单的利用磁选，会连同碳化硅颗粒一同除去，达不到预期的除杂效果；

针对上述两种去除碳化硅中三氧化二铁杂质的方式，本领域的技术人员提出了一种新的除去三氧化二铁的方式，从而达到纯化碳化硅的目的。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种提高碳化硅纯度的处理方法，解决了现有技术采用酸碱中和反应，而导致对环境造成污染的问题以及采用磁选方式达不到预期除杂效果的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种提高碳化硅纯度的处理方法，包括如下步骤：

S1、取一定量的成品碳化硅，并利用研磨设备获得碳化硅粉末；

S2、将获取的碳化硅粉末，倒入盛放有浮选试剂的容器中，并充分混合；

S3、将混合溶液倒入一体式浮选设备中，并继续添加浮选试剂的水溶液，直至浮选试剂的液位距离一体式浮选设备添加口高度的五分之一处；

S4、利用所述一体式浮选设备对碳化硅粉末进行纯化处理，直至完全纯化；

S5、排出纯化后的碳化硅粉末，烘干即可；

在本处理工艺的步骤S3中，所述的一体式浮选设备，包括设备承载框架，在所述设备承载框架顶端的前侧固定安装有浮选物收集单元，且在所述设备承载框架顶端的后侧通过铰接方式转动连接有浮选池单元，所述浮选物收集单元的顶端延伸至浮选池单元的正上方，在所述设备承载框架的内部、顶端以及浮选物收集单元顶端的排料口共同固定连接有一组收集液处理单元，在所述设备承载框架背面的顶部固定安装有一个纯化料出料槽，所述浮选池单元翻转45°后，所述纯化料出料槽位于浮选池单元排料口的正下方；