[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

外延层，包括第一半导体层；

半导体电极，所述半导体电极设置于所述第一半导体层上，并与所述第一半导体层接触，其中所述半导体电极与所述第一半导体层具有相同的掺杂类型；

金属电极，设置于所述半导体电极背离所述第一半导体层的一侧，并与所述半导体电极形成欧姆接触，其中所述半导体电极的禁带宽度低于所述第一半导体层的禁带宽度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层进一步包括与所述第一半导体层层叠设置的有源层以及第二半导体层，其中所述外延层在所述第一半导体层朝向所述第二半导体层一侧形成有台面结构，以外露部分所述第一半导体层，所述半导体电极形成于外露的所述第一半导体层上。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管进一步包括设置于所述第一半导体层上的掩膜层，所述掩膜层设置有至少一外露所述第一半导体层的开口区域，所述半导体电极以选择性生长方式形成于所述开口区域内。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述掩膜层的材料为SiO₂。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体电极中的铝含量小于所述第一半导体层内中的铝含量。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层的材料为AlGaN，所述半导体电极的材料为GaN、InGaN、AlGaN或AlInGaN。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体电极呈连续设置或间断设置。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体电极包括间隔设置的多个点状电极。

9.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一外延层，所述外延层包括第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成半导体电极，其中所述半导体电极与所述第一半导体层接触，且与所述第一半导体层具有相同的掺杂类型，所述半导体电极的禁带宽度低于所述第一半导体层的禁带宽度；

在所述半导体电极背离所述第一半导体层的一侧形成金属电极，以与所述半导体电极形成欧姆接触。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述外延层进一步包括与所述第一半导体层层叠设置的有源层以及第二半导体层，其中所述外延层在所述第一半导体层朝向所述第二半导体层一侧形成有台面结构，以外露部分所述第一半导体层；

所述在所述第一半导体层上形成半导体电极的步骤包括：

在外露的所述第一半导体层上形成掩膜层，并进行图案化处理，以在所述掩膜层上形成外露所述第一半导体层的开口区域；

在所述掩膜层上沉积半导体材料，以在所述开口区域内选择性生长出所述半导体电极。