[发明专利]一体化粘接SiPM探测器的制作方法及安装平台

说明书

本公开涉及一体化粘接SiPM探测器的制作方法及安装平台，该方法包括：根据SiPM阵列制作反射层，在反射层上形成与SiPM阵列匹配的方格阵列；在折叠后的反射层的反射面上涂覆第一粘接胶，并对闪烁晶体阵列进行包覆，粘贴后反射层在闪烁晶体阵列的四周均有预设尺寸的留边；将粘接有反射层的闪烁晶体阵列从工装下方推入到工装内，反射层的留边紧贴闪烁晶体阵列的侧壁；在第一粘接胶未固化情况下，在反射层与反射面相反的另一表面上涂覆第二粘接胶，并利用SiPM阵列进行覆盖，将方格与SiPM对位匹配；对第一粘接胶和第二粘接胶进行固化完成一体化粘接。本公开使得SiPM探测器模块的制作过程可以简化操作步骤、减少操作工时。

技术领域

本公开涉及γ射线探测技术领域，尤其涉及一种一体化粘接SiPM探测器的制作方法及安装平台。

背景技术

硅光电倍增管(Silicon Photomultiplie，简称SiPM)采用CMOS工艺制造，是工作在盖革模式下的雪崩光电二极管阵列，与传统的光电倍增管相比，不仅增益大、工作电压低，还具有体积小、重量轻、工艺兼容性好、对磁场不敏感的优点。随着其技术日趋成熟，在微弱光探测、辐射探测等领域发挥着重要作用。在核医学领域，光电倍增管(Photomultiplier Tube，简称PMT)通常用阵列的形式使用，而具有更小光电灵敏区域的SiPM，需要更大规模的阵列的形式使用。

针对探测器模组的设计要求，需要将M*N的SiPM阵列、反射层及闪烁晶体阵列进行耦合，耦合方式一般采用光学胶进行耦合。而常规的探测器制作方式是：先用光学胶将闪烁晶体阵列和反射层进行粘接，然后进行胶固化，继而对多余光学胶进行清洁处理，最后再和SiPM阵列再次通过光学胶进行耦合。这种制作方法，制作步骤较多，耗费的生产工时也比较长。另外，由于反射层也配合SiPM M*N阵列进行对应设计，会有M*N个结构空穴(即方格)，当闪烁晶体阵列和反射层通过光学胶耦合固化后，还需要将M*N个空穴位置全部清洁干净，不能存在任何一点胶残留，否则SiPM阵列无法嵌入到反射层的方格中，会影响SiPM阵列和闪烁晶体阵列的匹配精度，这就给探测器制作带来一定难度和风险。另外，反射层表面上多余的胶也需要清洁。

基于上述，现有技术的探测器制作方法需要多次粘接，存在加工时间长、操作复杂的问题。

上述缺陷是本领域技术人员期望克服的。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为了解决现有技术的上述问题，本公开提供一种一体化粘接SiPM探测器的制作方法及安装平台，进而至少在一定程度上克服现有技术中探测器制作方法加工时间长、操作复杂的问题。

(二)技术方案

为了达到上述目的，本公开采用的主要技术方案包括：

本公开的一实施例提供一种一体化粘接SiPM探测器的制作方法，包括：

S0、根据SiPM阵列制作反射层，在反射层上形成与SiPM阵列匹配的方格阵列；

S2、在折叠后的反射层的反射面上涂覆第一粘接胶，并对闪烁晶体阵列进行包覆，粘贴后反射层在闪烁晶体阵列的四周均有预设尺寸的留边；

S4、将粘接有反射层的闪烁晶体阵列从工装下方推入到工装内，反射层的留边紧贴闪烁晶体阵列的侧壁；

S6、在第一粘接胶未固化情况下，在反射层与反射面相反的另一表面上涂覆第二粘接胶，并利用SiPM阵列进行覆盖，将方格与SiPM对位匹配；

S8、对第一粘接胶和第二粘接胶进行固化完成一体化粘接。

在本公开一实施例中，步骤S0之后，步骤S2之前还包括：

S1、将反射层按照预设尺寸的留边进行折叠，在四周形成折叠起的留边，反射层整体形成盒状。