[发明专利]应用于管式设备的生产工艺在审

专利信息
申请号: 202011590690.2 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN112795904A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 黄志强;戴虹;王祥;袁刚;彭海;刘锋 申请(专利权)人: 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/52;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/30;C23C16/40;H01L31/18
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 201620 上海市松*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 应用于 设备 生产工艺
【说明书】:

本发明提供了应用于管式设备的生产工艺,包括:通过翻转驱动装置驱动管式沉积腔体内的载具进行翻转运动,通过不同沉积控制装置在对应的所述管式沉积腔体内完成不同类型的沉积反应,以及通过清洗控制装置对进入管式清洗腔体的载具进行气相清洗处理。本发明通过至少两个所述管式沉积腔体实现不同类型沉积反应的灵活调节,通过所述翻转运动使得所述载具无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够实现双面镀,提高了生产效率;通过设置于所述管式清洗腔体的清洗控制装置对进入所述管式清洗腔体的载具进行所述气相清洗处理,无需拆装所述载具,从而进一步提高了生产效率。

技术领域

本发明涉及晶硅太阳能电池制造技术领域,尤其涉及应用于管式设备的生产工艺。

背景技术

太阳能电池制造工艺中,利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,PECVD)法在晶硅表面形成减反射膜,能够通过减少光线的反射率来提高光能利用率,同时减反射膜还能够起到钝化效果并为电池提供长期的保护,从而有利于光电转化效率的提升。因此,高质量的氮化硅薄膜对提高晶硅太阳能电池的性能和质量都起到了至关重要的作用。

现有技术中通常将能够放置几十甚至上百硅片的石墨舟送入石英管中,通过在石英管内激发等离子体进行PECVD沉积。由于石墨舟绝大部分表面也暴露在反应环境中,减反射膜沉积不仅在硅片表面进行,也在石墨舟的暴露表面进行,石墨舟表面的沉积层容易对硅片表面造成污染。因此,需要定期对石墨舟进行维护。

现有技术中通常采用化学法对PECVD工艺的相关器件进行清洗维护。例如公开号为CN105742159A的中国专利申请公开了通过混酸和纯水清除光伏相关器件,例如石墨舟和石英管表面污染的方法。然而这种清洗方法属于离线清洗,需要将石英管或石墨舟浸泡于酸液或水中,涉及到远程运输、石英管的拆装过程和繁杂的清洗工艺,不利于生产效率的提高。

因此,有必要开发一种新型的应用于管式设备的生产工艺以解决现有技术存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种应用于管式设备的生产工艺,以实现不同类型沉积反应的灵活调节并对载具进行在线清洗,有利于提高生产效率。

为实现上述目的,本发明应用于管式设备的生产工艺中,所述管式设备包括传输装置和设置有沉积控制装置的管式沉积腔体,所述生产工艺包括:

通过所述管式沉积腔体对装载有基板的载具进行沉积处理以形成镀膜基板,然后通过所述传输装置将装载有所述镀膜基板的载具运出所述管式沉积腔体后卸载所述镀膜基板,从而得到待清洗载具,其特征在于:

所述管式沉积腔体的数目至少为2,所述沉积处理包括:通过不同沉积控制装置在对应的所述管式沉积腔体内完成不同类型的沉积反应;

至少一个所述管式沉积腔体还设置有翻转驱动装置,通过所述翻转驱动装置驱动所述装载有基板的载具进行翻转运动以使所述基板的两个相对的待镀表面的任意一个处于待镀状态后,再进行所述沉积处理;

所述管式PECVD设备还包括设置有清洗控制装置的管式清洗腔体,通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后,通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理。

本发明的应用于管式设备的处理方法的有益效果在于:通过不同沉积控制装置在对应的所述管式沉积腔体内完成不同类型的沉积反应,使得能够根据工艺需求进行灵活调整,通过所述翻转驱动装置驱动所述载具进行翻转运动以使所述基板的两个相对的待镀表面的任意一个处于待镀状态,使得所述载具无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够使两个所述待镀表面中的任意一个或两个处于待镀状态,简化了工艺流程,提高了生产效率;通过所述清洗控制装置在所述管式清洗腔体内对所述待清洗载具进行气相清洗处理,无需拆装所述待清洗载具,从而进一步提高了生产效率。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司,未经理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011590690.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top