[发明专利]应用于管式设备的生产工艺在审
申请号: | 202011590690.2 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112795904A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 黄志强;戴虹;王祥;袁刚;彭海;刘锋 | 申请(专利权)人: | 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/30;C23C16/40;H01L31/18 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201620 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 设备 生产工艺 | ||
1.一种应用于管式设备的生产工艺,所述管式设备包括传输装置和设置有沉积控制装置的管式沉积腔体,所述生产工艺包括:
通过所述管式沉积腔体对装载有基板的载具进行沉积处理以形成镀膜基板,然后通过所述传输装置将装载有所述镀膜基板的载具运出所述管式沉积腔体后卸载所述镀膜基板,从而得到待清洗载具,其特征在于:
所述管式沉积腔体的数目至少为2,所述沉积处理包括:通过不同沉积控制装置在对应的所述管式沉积腔体内完成不同类型的沉积反应;
至少一个所述管式沉积腔体还设置有翻转驱动装置,通过所述翻转驱动装置驱动所述装载有基板的载具进行翻转运动以使所述基板的两个相对的待镀表面的任意一个处于待镀状态后,再进行所述沉积处理;
所述管式设备还包括设置有清洗控制装置的管式清洗腔体,通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后,通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理。
2.根据权利要求1所述的生产工艺,其特征在于,所述气相清洗处理包括等离子体化学气相清洗处理,所述管式清洗腔体还设置有等离子体发生装置,通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度和压力,以及向所述管式清洗腔体通入的清洗气体的流量,通过所述等离子体发生装置使所述清洗气体转化为等离子体,以进行所述等离子体化学气相清洗处理。
3.根据权利要求2所述的生产工艺,其特征在于,通过所述管式清洗腔体进行所述沉积处理。
4.根据权利要求3所述的生产工艺,其特征在于,所述管式清洗腔体还设置有所述翻转驱动装置,进行所述沉积处理前通过所述翻转驱动装置驱动所述载具进行所述翻转运动。
5.根据权利要求2所述的生产工艺,其特征在于,通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为300-600摄氏度,压力为0.1-0.6千帕,所述清洗气体的流量为2-50标准升/分钟,通过所述等离子体发生装置控制射频功率为10-40千瓦。
6.根据权利要求5所述的生产工艺,其特征在于,所述清洗气体包含碳元素、氮元素和氟元素中的至少两种。
7.根据权利要求6所述的生产工艺,其特征在于,所述清洗气体还包括氮气、氩气和氧气中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的生产工艺,其特征在于,所述气相清洗处理包括化学气相清洗处理,通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为200-600摄氏度,压力为0.1-67千帕,使用的清洗气体的流量为2-50标准升/分钟,以进行化学气相清洗处理。
9.根据权利要求8所述的生产工艺,其特征在于,所述清洗气体为HF、F2、Cl2和ClF3中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的生产工艺,其特征在于,所述清洗气体还包括载气,所述载气为氮气、氩气和氧气中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的生产工艺,其特征在于,通过所述翻转驱动装置控制所述翻转运动的时间不超过10分钟,所述载具的翻转角度为90度-270度。
12.根据权利要求1所述的生产工艺,其特征在于,所述管式清洗腔体的数目至少为1,所述管式清洗腔体的数目不超过所述管式沉积腔体的数目。
13.根据权利要求1所述的生产工艺,其特征在于,还包括监控装置,通过所述监控装置监测所述载具的运行次数或所述载具表面污染物的沉积情况,以判断是否通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体内。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的