[发明专利]一种提升封装能力的OLED结构和制备方法

说明书

本发明属于显示领域，提供了一种提升封装能力的OLED结构，包括从上至下顺序层叠的基底、阳极、复合有机层、阴极以及封装层，所述基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，以上各层基底的凹凸结构的凹凸方向相同。以基底构形为出发点，对OLED器件进行优化，凹凸构形可显著降低各膜层的表面应力，防止膜层的解体和滑移，使膜层更加稳定，增加器件的寿命，提升产品的良率水平；同时凹凸的表面构造，也可降低各有机层间的波导模式，减少了阴极表面的等离子模式，从而使OLED内部产生的光更多的发射出来，增大光取出效率。本发明还提供了一种制备提升封装能力的OLED结构的方法。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体而言，涉及到一种OLED结构及其制备方法。

背景技术

有机电致发光二极管（OLED）具有低能耗、自发光、广视角等优异特性，在显示行业得到了广泛的应用，如OLED电视、平板电脑等，随着经济社会的需求以及科技的进步，OLED更向高清晰度、曲面化以及小尺寸发展。

为了OLED性能满足不同的需求，现有技术中通常在基底上层层沉积各功能膜层，但是往往各膜层表面应力较大，层膜数量越多，相互间的应力增加（可达500 Mpa以上），较大的应力会导致膜层易破裂解体，若此时膜层与膜层之间的结合力较弱，则会加速膜层的解体，增加封装难度，甚至导致封装失效，引入水汽和氧气，造成器件损坏和报废，影响产品的良率水平。

发明内容

为了解决现有技术的不足，本发明提供了一种膜层应力小结合力强、高封装能力且提高器件内部光取出效率的提升封装能力的OLED结构和制备方法。

一种提升封装能力的OLED结构，包括从上至下顺序层叠的基底、阳极、复合有机层、阴极以及封装层，所述基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，所述阳极、所述复合有机层、所述阴极以及所述封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。

在一些较优的实施例中，所述凹凸结构为周期性结构，凸起部高度为1-10μm，凹陷部深度为1-10μm。

在一些较优的实施例中，所述阳极厚度为50-300 nm。

在一些较优的实施例中，所述阴极为金属层或金属合金层，所述厚度为10-150nm，所述阴极透光率不低于90%。

在一些较优的实施例中，所述复合有机层包括真空蒸镀形成背离所述基底方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，所述复合层的厚度为100-400 nm。

在一些较优的实施例中，所述封装层为复合封装层，其厚度为100-1630 nm。

在一些较优的实施例中，所述复合封装层包括由金属氧化物封装层和无机硅化物封装层，所述金属氧化物封装层的厚度为20-130 nm，所述无机硅化物封装层厚度为80-1500 nm。

在一些较优的实施例中，所金属氧化物封装层包括氧化铝、氧化钛或氧化锆一种或几种，所述无机硅化物封装层氮化硅、氧化硅或碳化硅的一种。

一种提升封装能力的OLED结构的制备方法，包括如下步骤：

取基底，在其一面刻出凹凸纹路的表面构造形成基底凹凸结构；

在基底凹凸机构上溅射沉积形成阳极；

在阳极上依次沉积形成复合有机层和阴极；

在阴极层上用原子沉积法与化学气相沉积法交替形成封装层；

所述阳极、所述复合有机层、所述阴极以及所述封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。

在一些较优的实施例中，在阴极层上用原子沉积法与化学气相沉积法交替形成封装层的步骤为使金属氧化物的前驱体交替在阴极上吸附反应，形成多层金属氧化物封装层，采用低温等离子体增强化学沉积法，金属氧化物封装层上通过化学吸附反应沉积无机硅化物，形成一层无机硅化物封装层。