[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制备方法在审
申请号: | 202011567369.2 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN114696767A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 牛玉娇;张树民 | 申请(专利权)人: | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 罗庆 |
地址: | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述谐振器包括:
带空腔的基底、压电薄膜堆叠结构和至少一个支撑连接件;
所述压电薄膜堆叠结构设置在所述基底的空腔上,且所述压电薄膜堆叠结构通过所述至少一个支撑连接件与所述基底表面固定连接。
2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述压电薄膜堆叠结构包括:
第一电极层、压电材料层和第二电极层;
所述压电材料层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间,且所述第一电极层和所述第二电极层相对设置,所述第一电极层或/和所述第二电极层通过所述至少一个支撑连接件与所述基底表面固定连接。
3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述至少一个支撑连接件设置在所述第一电极层或/和所述第二电极层与所述基底之间。
4.如权利要求3任一项所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,每个支撑连接件的一端与所述基底固定连接,所述每个支撑连接件的另一端伸入所述空腔内与所述第一电极层或/和所述第二电极层连接。
5.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述至少一个支撑连接件与所述第一电极层或/和所述第二电极层一体成型。
6.一种薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一带空腔的基底,在所述基底上形成至少一个支撑连接件;
在所述至少一个支撑连接件上制备压电薄膜堆叠结构,使所述压电薄膜堆叠结构通过所述至少一个支撑连接件与所述基底表面固定连接,形成薄膜体声波谐振器。
7.如权利要求6所述的薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于,提供一带空腔的基底,在所述基底上形成至少一个支撑连接件,包括:
在所述基底的空腔中填充牺牲层;
在所述牺牲层上沉积支撑材料,形成支撑层;
在所述支撑层上形成图形化的光刻胶层;
对所述支撑层进行蚀刻和去除光刻胶层,得到图形化的所述至少一个支撑连接件。
8.如权利要求7所述的薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于,在所述至少一个支撑连接件上制备压电薄膜堆叠结构,包括:
在所述至少一个支撑连接件上自下而上依次沉积第二电极层、压电材料层和第一电极层,使在所述至少一个支撑连接件上形成所述压电薄膜堆叠结构。
9.如权利要求7所述的薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于,在所述至少一个支撑连接件上制备压电薄膜堆叠结构,还包括:
提供剥离基板,在所述剥离基板上依次沉积第一电极层、压电材料层和第二电极层,形成所述压电薄膜堆叠结构;
将所述压电薄膜堆叠结构置于所述空腔的正上方,通过键合工艺使所述第二电极层与所述至少一个支撑连接件相互贴合;
剥离所述剥离基板,使在所述至少一个支撑连接件上形成所述压电薄膜堆叠结构。
10.如权利要求7所述的薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于,所述至少一个支撑连接件与所述压电薄膜堆叠结构的第一电极层或/和第二电极层一体成型。
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