[发明专利]一种高效散热的扇出型封装结构及其方法在审
| 申请号: | 202011560745.5 | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN112701051A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
| 发明(设计)人: | 姚大平 | 申请(专利权)人: | 江苏中科智芯集成科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/498;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
| 地址: | 221000 江苏省徐州市经济技*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高效 散热 扇出型 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种扇出型封装结构的制造方法,包括:
在封装基板内形成隐形切割槽;
在封装基板的正面上形成扇出型封装结构;以及
对封装基板进行背面减薄,露出切割槽。
2.如权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法,其特征在于,所述封装基板为硅晶圆,采用激光隐形切割技术,按照预先设计的图形对晶圆进行单方向的隐形切割,在封装基板内形成隐形切割槽。
3.如权利要求2所述的扇出型封装结构的制造方法,其特征在于,所述隐形切割槽是互相平行的多个槽。
4.如权利要求2所述的扇出型封装结构的制造方法,其特征在于,所述隐形切割槽包括第一组平行槽和第二组平行槽,第一组平行槽中的每个切割槽相互平行,第二组平行槽中的每个切割槽相互平行,第一组平行槽和第二组平行槽相互垂直。
5.如权利要求2所述的扇出型封装结构的制造方法,其特征在于,在硅晶圆的边缘不进行激光隐形切割。
6.如权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法,其特征在于,在封装基板的正面上形成扇出型封装结构包括:
在封装基板的正面形成带粘附性的热界面材料膜;
将芯片的背面附连到热界面材料膜上,带有引脚的正面朝外;
形成塑封层,所述塑封层包封芯片和热界面材料膜的表面;
在塑封层上打孔,露出芯片正面的引脚;
进行重布线工艺,将芯片的引脚引出,形成重布线和焊盘;以及
在焊盘上形成焊球。
7.如权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法,其特征在于,对封装基板进行背面减薄露出切割槽包括:在扇出型封装结构的表面上形成保护膜,然后采用研磨工艺将封装基板的背面减薄到设计要求的厚度,露出切割槽作为散热沟槽。
8.一种扇出型封装结构,包括:
带有散热沟槽的基板;
热界面材料层,所述热界面材料层设置在基板之上;
附连到热界面材料层上的芯片;
包封芯片和热界面材料层的塑封材料;
形成在塑封材料上的重布线和焊盘,所述重布线和焊盘通过形成在塑封材料内的导电通孔连接到芯片的正面的引脚;
设置在重布线和焊盘之间的介电材料;以及
设置在焊盘之上的焊球。
9.如权利要求8所述的扇出型封装结构,其特征在于,带有散热沟槽的基板的底面上具有多个散热沟槽,所述散热沟槽通过激光隐形切割工艺形成,并在形成封装结构后通过减薄工艺暴露出来。
10.如权利要求8所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述散热沟槽是互相平行的多个槽,或者
所述散热沟槽包括第一组平行槽和第二组平行槽,第一组平行槽中的每个槽相互平行,第二组平行槽中的每个槽相互平行,第一组平行槽和第二组平行槽相互垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





