[发明专利]一种滤波器晶圆级封装工艺及滤波器晶圆级封装结构

说明书

本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种滤波器晶圆级封装工艺及滤波器晶圆级封装结构。滤波器晶圆包括基板，所述基板的上表面设置有功能区和多个焊垫，所述滤波器晶圆级封装工艺包括步骤：在硅片的一侧开设凹槽以形成覆盖晶圆；通过胶水层将覆盖晶圆设置有凹槽的一侧粘合于基板的上侧，功能区容纳于基板与凹槽围成的空间；在基板的下表面刻蚀通孔，以使焊垫的下表面露出；将微凸焊点与所述焊垫电性连接。本发明滤波器晶圆级封装工艺，封装过程步骤简单、易操作，有利于获得更轻薄的封装结构，且不易污染功能区。本发明的滤波器晶圆级封装结构，通过采用上述的滤波器晶圆及封装工艺，生产过程更简单方便，且整体更轻薄、封装效果好。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种滤波器晶圆级封装工艺及滤波器晶圆级封装结构。

背景技术

滤波器是一种选频装置，可以使信号中特定的频率成分通过，而极大地衰减其他频率成分，从而可以用于滤除干扰噪声。如图1所示，滤波器的晶圆级1′包括基板11′，基板11′的上表面上设置有功能区12′和焊垫13′，根据滤波器的性能和功能的需求，在对滤波器的晶圆级1′进行封装时，需要保证功能区12′位于一个空腔内。如图1所示，现有技术中，在对滤波器晶圆1′进行封装时，先在基板11′设置有功能区12′的一侧成型图案化的支撑围堰2′，再在支撑围堰2′上粘附保护层3′，基板11′、支撑围堰2′及保护层3′共同围成封闭的容纳腔4′，功能区12′位于容纳腔4′内，焊垫13′通过微凸焊点5′与外部结构进行电连接。现有技术中的封装工艺，一方面，支撑围堰通常采用干膜光刻工艺成型在基板上，其加工过程中容易造成功能区的污染；另一方面，通过支撑围堰、保护层共同封装，工艺复杂、且最终获得的封装结构整体厚度较厚，此外，为了将焊垫引出以实现与微凸焊点的电性连接，需要依次在保护层、支撑围堰及两者之间的粘合层上依次开孔，开孔不方便。

因此，亟需发明一种滤波器晶圆级封装工艺及滤波器晶圆级封装结构来解决上述技术问题。

发明内容

本发明的第一个目的在于提出一种滤波器晶圆级封装工艺，封装过程步骤简单、易操作，有利于获得更轻薄的封装结构，且不易污染功能区。

本发明的第二个目的在于提出一种滤波器晶圆级封装结构，其通过采用上述的滤波器晶圆及封装工艺，生产过程更简单方便，且整体更轻薄、封装效果好。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种滤波器晶圆级封装工艺，滤波器晶圆包括基板，所述基板的上表面设置有功能区和多个焊垫，包括：

在硅片的一侧开设凹槽以形成覆盖晶圆；

通过胶水层将所述覆盖晶圆设置有凹槽的一侧粘合于所述基板的上侧，所述功能区容纳于所述基板与所述凹槽围成的空间；

在所述基板的下表面刻蚀通孔，以使所述焊垫的下表面露出；

将微凸焊点与所述焊垫电性连接。

可选地，刻蚀所述通孔的步骤包括：

采用光刻的方法在所述基板的下表面制作出待开孔区域；采用干法刻蚀或湿法腐蚀硅的方式在所述待开孔区域刻蚀出所述通孔；或

采用激光烧蚀方法，直接在所述基板上制作出所述通孔。

可选地，在刻蚀完所述通孔后，通过物理气相沉积的方式在所述通孔溅射金属层，并通过电镀工艺在溅射所述金属层后的所述通孔内填充Cu，以形成Cu连接体，所述Cu连接体分别与所述焊垫和所述微凸焊点电性连接。

可选地，在所述Cu连接体的下表面化学镀球下金属层，所述球下金属层分别与所述微凸焊点和所述Cu连接体电性连接；采用化学镀工艺成型所述球下金属层的步骤包括：

在所述Cu连接体的下表面化学镀一层镀Ni层；

在所述镀Ni层上接着化学镀一层镀Au层。