[发明专利]包括桥的微电子结构

权利要求书

1.一种微电子结构，包括：

衬底；

在所述衬底的面处的腔；以及

在所述腔中的桥部件，其中所述桥部件包括第一面和相对的第二面，所述桥部件的所述第二面在所述桥部件的所述第一面与所述衬底之间，所述桥部件包括在所述桥部件的所述第一面处的第一互连材料，所述桥部件包括在所述桥部件的所述第二面处的第二互连材料，并且所述第一互连材料具有与所述第二互连材料不同的材料成分。

2.如权利要求1所述的微电子结构，其中所述第一互连材料包括焊料。

3.如权利要求2所述的微电子结构，其中所述第一互连材料的所述焊料是第一焊料，所述第二互连材料包括第二焊料，并且所述第二焊料具有与所述第一焊料不同的材料成分。

4.如权利要求3所述的微电子结构，其中所述第一焊料具有与所述第二焊料不同的熔点。

5.如权利要求3所述的微电子结构，其中所述第一焊料具有比所述第二焊料高的熔点。

6.如权利要求1-5中任一项所述的微电子结构，还包括：

围绕所述第二互连材料的聚合物材料。

7.如权利要求1-5中任一项所述的微电子结构，还包括：

在所述桥部件的所述第二面与所述腔之间的环氧树脂材料。

8.如权利要求1-5中任一项所述的微电子结构，其中所述第二互连材料包括导电粘合剂，并且所述导电粘合剂包括聚合物。

9.如权利要求1-5中任一项所述的微电子结构，其中所述第二互连材料包括金属间化合物（IMC）。

10.如权利要求9所述的微电子结构，其中所述IMC包括高温焊料颗粒和低温焊料颗粒。

11.如权利要求1-5中任一项所述的微电子结构，其中所述第二互连材料包括短暂液相烧结（TLPS）材料。

12.如权利要求1-5中任一项所述的微电子结构，其中所述第二互连材料包括聚合物、铜和锡。

13.一种微电子组件，包括：

衬底；

在所述衬底的面处的腔；

在所述腔中的桥部件，其中所述桥部件包括第一面和相对的第二面，所述桥部件的所述第二面在所述桥部件的所述第一面与所述衬底之间，所述桥部件包括在所述桥部件的所述第一面处的第一导电触点，所述桥部件包括在所述桥部件的所述第二面处的第二导电触点，并且所述衬底包括在所述腔的底部处的第三导电触点；以及

微电子部件，所述微电子部件具有第一面和相对的第二面，所述微电子部件的所述第一面在所述微电子部件的所述第二面与所述衬底之间，所述微电子部件包括在所述微电子部件的所述第一面处的导电触点，所述微电子部件的第四导电触点导电地耦合到在所述衬底的所述面处的所述衬底的第五导电触点，并且所述微电子部件的第六导电触点导电地耦合到在所述桥部件的所述第一面处的所述第一导电触点；

第一互连材料，所述第一互连材料在所述第一导电触点和所述第六导电触点之间；以及

第二互连材料，所述第二互连材料在所述第二导电触点和所述第三导电触点之间，其中所述第二互连材料具有与所述第一互连材料不同的熔点。

14.如权利要求13所述的微电子组件，其中所述腔延伸超过在所述衬底的所述面处的表面绝缘材料。

15.如权利要求13-14中任一项所述的微电子组件，其中所述桥部件包括半导体材料。

16.如权利要求13-14中任一项所述的微电子组件，其中所述衬底的导电触点的间距大于所述桥部件的导电触点的间距。