[发明专利]一种双电源电压实时监测电路及监测方法

说明书

本发明涉及一种双电源电压实时监测电路及监测方法。本发明包括比较电路和逻辑判断电路，比较电路包括比较器OPA1和比较器OPA2，比较器OPA1的负输入端接比较器OPA2的负输入端，逻辑判断电路包括电压源VDD1、pmos管P1、pmos管P2、nmos管N1、nmos管N2、反向器inv1和反向器inv2，电压源VDD1接pmos管P1的源端，pmos管P1的漏端接pmos管P2的源端，pmos管P2的漏端接nmos管N1的源端，pmos管P2的栅极接nmos管N1的栅极，nmos管N1的漏端接nmos管N2的源端，nmos管N2的漏端接地，比较器OPA1的输出端分别接pmos管P2的栅极和nmos管N1的栅极，比较器OPA2的输出端分别接pmos管P1的栅极和nmos管N2的栅极，比较器OPA2的输出端与pmos管P1的栅极之间接有反向器inv1，pmos管P2的漏端和nmos管N1的源端分别接入反向器inv2。本发明能够实时检测电路电源状态并作出准确的指示，保证后级电路在电源电压下作出对应的开启。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种双电源电压实时监测电路及监测方法。

背景技术

随着集成电路的不断发展及系统复杂度的提升，双电源甚至多电源供电的芯片越来越普遍。而不同电源电压下，电压差异较大会影响电路性能，尤其是低电源电压下工作性能。常用的电源方案是采用电源基准电路和低压差线性稳压器将不同电源电压转到统一电压下处理。

采用电源基准电路和低压差线性稳压器可以将电源电压转到更低的电压下处理，但对某些晶体管层叠较多的模拟电路来说，电源电压过低，晶体管工作状态无法保证，会直接影响电路的性能。

发明内容

本发明为解决背景技术中存在的上述技术问题，提供了一种双电源电压实时监测电路及监测方法，本发明结构简单，能够实时检测电路电源状态并作出准确的指示，保证后级电路在电源电压下作出对应的开启。

本发明的技术解决方案是：本发明为一种双电源电压实时监测电路，其特殊之处在于：所述监测电路包括比较电路和逻辑判断电路，比较电路包括比较器OPA1和比较器OPA2，比较器OPA1的负输入端接比较器OPA2的负输入端，逻辑判断电路包括电压源VDD1、pmos管P1、pmos管P2、nmos管N1、nmos管N2、反向器inv1和反向器inv2，电压源VDD1接pmos管P1的源端，pmos管P1的漏端接pmos管P2的源端，pmos管P2的漏端接nmos管N1的源端，pmos管P2的栅极接nmos管N1的栅极，nmos管N1的漏端接nmos管N2的源端，nmos管N2的漏端接地，比较器OPA1的输出端分别接pmos管P2的栅极和nmos管N1的栅极，比较器OPA2的输出端分别接pmos管P1的栅极和nmos管N2的栅极，比较器OPA2的输出端与pmos管P1的栅极之间接有反向器inv1，pmos管P2的漏端和nmos管N1的源端分别接入反向器inv2。

优选的，比较器OPA1的正输入端接参考电压V1，比较器OPA2的正输入端接参考电压V2，比较器OPA1的负输入端和比较器OPA2的负输入端接参考电压Vidct。

优选的，监测电路还包括提供参考电压Vidct的电压源VDD，电压源VDD通过电阻R1分别接入比较器OPA1的负输入端和比较器OPA2的负输入端，接入比较器OPA1的负输入端和比较器OPA2的负输入端分别通过电阻R2接地。

一种实现上述的双电源电压实时监测电路的监测方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

1)比较计算：将参考电压V1和参考电压V2通过比较器OPA1和比较器OPA2与外部提供的参考电压Vidct进行比较，其中参考电压Vidct＝VDD/2，随着电源电压的升高，分压得到的参考电压Vidct也会随之升高，通过与参考电压V1和参考电压V2比较，可以得到当前电源电压VDD的状态；