[发明专利]一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置在审
| 申请号: | 202011540061.9 | 申请日: | 2020-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN112670247A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
| 发明(设计)人: | 许孜;刘昕昭;程琳 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L51/56;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置。该制备方法包括:提供衬底基板;在衬底基板的一侧形成平坦化层;在平坦化层背离衬底基板一侧形成第一膜层;形成贯穿第一膜层和平坦化层的阳极过孔;在第一膜层背离衬底基板的一侧形成阳极层;图案化阳极层,在阳极层上形成第一开口;在图案化阳极层之后,图案化第一膜层,在第一膜层上形成第二开口;其中,第一膜层的材料包括非金属材料;第一开口贯穿阳极层,第二开口至少部分贯穿第一膜层;第二开口在衬底基板上的正投影与第一开口在衬底基板上的正投影至少部分交叠。本发明实施例提供的技术方案可以改善金属离子残留问题,提高显示面板生产良率。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示面板和有机发光显示面板逐渐成为两大主流显示面板。其中,有机发光显示面板包括发光单元阵列,每个发光单元包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的发光层。
在制备有机发光显示面板时,通常先整面形成一层阳极层,然后通过刻蚀的方式形成多个相互独立的块状电极。但是,含金属(例如银)的阳极层刻蚀过程中会产生金属离子(银离子),当金属离子残留在阳极下方的平坦化层上时,容易引起暗点等显示不良的问题。
发明内容
本发明提供一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置,以改善金属离子残留问题,提高显示面板生产良率。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法,该制备方法包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板的一侧形成平坦化层;
在所述平坦化层背离所述衬底基板一侧形成第一膜层;
形成贯穿所述第一膜层和所述平坦化层的阳极过孔;
在所述第一膜层背离所述衬底基板的一侧形成阳极层;
图案化所述阳极层,在所述阳极层上形成第一开口;
在所述图案化所述阳极层之后,图案化所述第一膜层,在所述第一膜层上形成第二开口;
其中,所述第一膜层的材料包括非金属材料;所述第一开口贯穿所述阳极层,所述第二开口至少部分贯穿所述第一膜层;所述第二开口在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,该显示面板包括:
衬底基板以及平坦化层,所述平坦化层位于所述衬底基板一侧;
第一膜层以及阳极层,所述第一膜层位于所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧,所述阳极层位于所述第一膜层背离所述衬底基板的一侧;所述第一膜层和所述平坦化层上设置有阳极过孔,所述阳极层填充于所述阳极过孔中;
所述阳极层上设置有第一开口,所述第一开口贯穿所述阳极层;所述第一膜层上设置有第二开口,所述第二开口至少部分贯穿所述第一膜层;
其中,所述第一膜层的材料为非金属材料;所述第二开口在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括第二方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板的制备方法,通过在形成阳极层之前先形成一层第一膜层,可使在阳极层上刻蚀形成第一开口之后残留的金属离子落在第一开口暴露出来的第一膜层上,然后,通过将第一开口暴露出来的第一膜层至少部分去除,可使残留在第一膜层上的金属离子中的至少部分被去除,改善金属离子残留问题,实现降低金属离子残留风险,提高显示面板生产良率的效果。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





