[发明专利]一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置在审
| 申请号: | 202011540061.9 | 申请日: | 2020-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN112670247A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
| 发明(设计)人: | 许孜;刘昕昭;程琳 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L51/56;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板的一侧形成平坦化层;
在所述平坦化层背离所述衬底基板一侧形成第一膜层;
形成贯穿所述第一膜层和所述平坦化层的阳极过孔;
在所述第一膜层背离所述衬底基板的一侧形成阳极层;
图案化所述阳极层,在所述阳极层上形成第一开口;
在所述图案化所述阳极层之后,图案化所述第一膜层,在所述第一膜层上形成第二开口;
其中,所述第一膜层的材料包括非金属材料;所述第一开口贯穿所述阳极层,所述第二开口至少部分贯穿所述第一膜层;所述第二开口在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述图案化所述阳极层,在所述阳极层上形成第一开口包括:
在所述阳极层背离所述衬底基板的一侧涂布光刻胶层;
图案化所述光刻胶层,形成光刻胶图形;
以所述光刻胶图形为掩膜版刻蚀所述阳极层,在所述阳极层上形成所述第一开口。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一膜层的材料与所述光刻胶层的材料不同。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述图案化所述阳极层之后,图案化所述第一膜层,在所述第一膜层上形成第二开口包括:
以所述光刻胶图形为掩膜版刻蚀所述第一膜层,在所述第一膜层上形成所述第二开口。
5.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:
去除所述光刻胶层;
所述在所述图案化所述阳极层之后,图案化所述第一膜层,在所述第一膜层上形成第二开口包括:
以形成有所述第一开口的所述阳极层为掩膜版刻蚀所述第一膜层,在所述第一膜层上形成所述第二开口。
6.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一膜层的材料包括有机材料或无机材料。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一膜层包括有机材料,且所述平坦化层和所述第一膜层的材料相同;所述平坦化层和所述第一膜层通过同一道制备工序形成。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一膜层包括有机材料或无机材料;
所述在所述图案化所述阳极层之后,图案化所述第一膜层,在所述第一膜层上形成第二开口包括:
在所述图案化所述阳极层之后,干法刻蚀所述第一膜层,在所述第一膜层上形成所述第二开口;
其中,干法刻蚀过程中的气流量大于预设气流量阈值。
9.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一膜层和所述光刻胶层的材料相同;
所述在所述图案化所述阳极层之后,图案化所述第一膜层,在所述第一膜层上形成第二开口包括:
同时去除所述光刻胶层以及所述第一膜层被所述第一开口暴露的部分,在所述第一膜层上形成所述第二开口。
10.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板以及平坦化层,所述平坦化层位于所述衬底基板一侧;
第一膜层以及阳极层,所述第一膜层位于所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧,所述阳极层位于所述第一膜层背离所述衬底基板的一侧;所述第一膜层和所述平坦化层上设置有阳极过孔,所述阳极层填充于所述阳极过孔中;
所述阳极层上设置有第一开口,所述第一开口贯穿所述阳极层;所述第一膜层上设置有第二开口,所述第二开口至少部分贯穿所述第一膜层;
其中,所述第一膜层的材料为非金属材料;所述第二开口在所述衬底基板上的正投影与所述第一开口在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马有机发光显示技术有限公司,未经上海天马有机发光显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011540061.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于云管理的远程网关管理系统
- 下一篇:一种液固双重燃料空间核反应堆电源
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





