[发明专利]一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池

说明书

本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在制备太阳能电池的过程中，控制硅基底第一表面的绒面结构中金字塔的平均尺寸大于或等于2μm，且小于5μm，由于金字塔的平均尺寸较大，分布较为分散，因此，在通过金字塔结构保证硅基底反射率较低，光吸收较好的情况下，能够避免在绒面结构上形成厚度大于15nm的阻挡氧化层的过程中对绒面结构的破坏，此时，阻挡氧化层的厚度可以达到良好的掩膜作用，也同时避免了厚氧化层对太阳能电池性能的影响，显著提升太阳能电池的效率。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池。

背景技术

在硅基太阳能电池的制备工艺中，为了降低硅片的表面反射率，增大对光的吸收，以提高太阳能电池的效率。通常，是采用化学腐蚀法在硅片的表面制备具备金字塔的绒面，金字塔的绒面可以对光线进行二次反射以及折射，从而增大对光的吸收，为了降低绒面的反射率，可以减小绒面中金字塔的尺寸，从而增强对光线的二次反射以及折射。

在太阳能电池制备的过程中，为了避免绒面的金字塔结构在后续工艺中被破坏，通常需要在绒面上设置氧化层以隔离绒面与可能破坏绒面的环境，但是，制备氧化层也可能反而导致电池转化效率的降低。

发明内容

本发明提供一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池，旨在避免太阳能电池的制备过程中制备保护作用的氧化层反而导致太阳能电池转化效率低的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种太阳能电池的制备方法，该方法可以包括：

提供硅基底；

在所述硅基底的第一表面形成金字塔的绒面结构，所述绒面结构中所述金字塔的平均尺寸大于或等于2μm，且小于5μm；

在所述第一表面的绒面结构上形成阻挡氧化层，所述阻挡氧化层的厚度大于15nm。

可选地，所述阻挡氧化层厚度大于30nm。

可选地，所述绒面结构中所述金字塔的平均尺寸小于4μm。

可选地，所述在所述第一表面的绒面结构上形成阻挡氧化层，包括：

在600℃～1000℃的温度下，对所述第一表面进行热氧化形成阻挡氧化层。

可选地，所述在所述第一表面的绒面结构上形成阻挡氧化层，包括：

对所述第一表面进行元素掺杂处理同步形成第一掺杂层和位于所述第一掺杂层上的阻挡氧化层，所述元素包括IIIA族元素、VA族元素中的至少一种。

可选地，所述元素掺杂处理为热扩散工艺。

可选地，所述在所述硅基底的第一表面形成金字塔的绒面结构的步骤之后，还包括：

对所述第一表面进行元素掺杂处理形成第一掺杂层，所述元素包括IIIA族元素、VA族元素中的至少一种；

可选地，所述在所述第一表面的绒面结构上形成阻挡氧化层，包括：

在所述第一表面的绒面结构上，对所述第一掺杂层热氧化形成阻挡氧化层。

可选地，所述元素掺杂处理为热扩散工艺、离子注入或原位掺杂其中的一种。

可选地，所述基底的第二表面与第一表面相对，所述在所述第一表面的绒面结构上形成阻挡氧化层的步骤之后，还包括：

在所述基底的第二表面形成钝化接触结构，和/或，

在所述基底的第二表面形成钝化层。

可选地，所述在所述基底的第二表面形成钝化接触结构，包括：

对基底第二表面进行刻蚀；