[发明专利]一种三维堆叠的扇出型芯片封装方法及封装结构

说明书

本发明提供一种三维堆叠的扇出型芯片封装方法及封装结构，方法包括：提供承载片，所述承载片包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；在所述承载片的第一表面形成金属通孔，并在所述金属通孔上形成第一焊球；将第一芯片倒装在所述第一焊球上；在所述承载片的第二表面形成第一金属布线，所述第一金属布线与所述金属通孔电连接；在所述第一金属布线上形成第二焊球，将第二芯片倒装在所述第二焊球上，以完成三维堆叠的扇出型芯片封装。本发明通过这样的方式实现了芯片的三维堆叠，取消了引线结构，减小了芯片尺寸，提高了整体封装结构的利用率。

技术领域

本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种三维堆叠的扇出型芯片封装方法及封装结构。

背景技术

随着电子产品小型化的潮流，高散热效率的电子组装技术在新一代电子产品上显得尤为重要。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。多芯片的三维堆叠封装结构，满足了芯片产品尺寸更薄、节省材料等要求，由于三维堆叠封装能够减小芯片尺寸、提高整体封装结构的利用率，三维堆叠封装的研究是有必要的。

传统方法是通过打线的方式来实现芯片的封装，其缺点是芯片尺寸大、成本高、浪费材料。而引线框架封装结构，需要先制作引线框架，然后再贴装芯片，导致整体结构体积较大。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种三维堆叠的扇出型芯片封装方法及封装结构。

本发明的一个方面，提供一种三维堆叠的扇出型芯片封装方法，所述方法包括：

提供承载片，所述承载片包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；

在所述承载片的第一表面形成金属通孔，并在所述金属通孔上形成第一焊球；

将第一芯片倒装在所述第一焊球上；

在所述承载片的第二表面形成第一金属布线，所述第一金属布线与所述金属通孔电连接；

在所述第一金属布线上形成第二焊球，将第二芯片倒装在所述第二焊球上，以完成三维堆叠的扇出型芯片封装。

在一些可选地实施方式中，在将所述第一芯片倒装在所述第一焊球上之后，所述方法还包括：

在所述承载片的第一表面形成第一胶层，所述第一胶层包覆所述第一芯片，以将所述第一芯片固定在所述承载片的第一表面。

在一些可选地实施方式中，所述在所述承载片的第二表面形成第一金属布线，包括：

在所述承载片的第二表面形成第一钝化层；

图形化所述第一钝化层，以在对应所述金属通孔的位置形成第一过孔；

在所述第一过孔和所述第一钝化层上形成所述第一金属布线。

在一些可选地实施方式中，所述在所述第一金属布线上形成第二焊球，将第二芯片倒装在所述第二焊球上，包括：

在所述第一金属布线上形成第一保护层，并在所述第一保护层上形成第二过孔；

在所述第二过孔中形成所述第二焊球，将所述第二芯片倒装在所述第二焊球上。

在一些可选地实施方式中，在将第二芯片倒装在所述第二焊球上之后，所述方法还包括：

在所述第一保护层上形成第二胶层，所述第二胶层包覆所述第二芯片，以将所述第二芯片固定在所述承载片的第二表面。

在一些可选地实施方式中，在所述第一保护层上形成第二胶层之后，所述方法还包括：

形成贯穿所述第二胶层的金属柱，所述金属柱与所述第一金属布线电连接；