[发明专利]一种三维堆叠的扇出型芯片封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种三维堆叠的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：

提供承载片，所述承载片包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，所述承载片是硅、玻璃、金属或有机基板材料的平板；

在所述承载片的第一表面形成金属通孔，并在所述金属通孔上形成第一焊球；

将第一芯片倒装在所述第一焊球上；

在所述承载片的第一表面形成第一胶层，所述第一胶层包覆所述第一芯片，以将所述第一芯片固定在所述承载片的第一表面；

在所述承载片的第二表面形成第一金属布线，所述第一金属布线与所述金属通孔电连接；

在所述第一金属布线上形成第二焊球，将第二芯片倒装在所述第二焊球上；

在所述第一金属布线上形成第二胶层，所述第二胶层包覆所述第二芯片，以将所述第二芯片固定在所述承载片的第二表面；

形成贯穿所述第二胶层的金属柱，所述金属柱与所述第一金属布线电连接；

在所述第二胶层上形成第二金属布线，所述第二金属布线与所述金属柱电连接；

在所述第二金属布线上形成第三焊球，以完成三维堆叠的扇出型芯片封装。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述承载片的第二表面形成第一金属布线，包括：

在所述承载片的第二表面形成第一钝化层；

图形化所述第一钝化层，以在对应所述金属通孔的位置形成第一过孔；

在所述第一过孔和所述第一钝化层上形成所述第一金属布线。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一金属布线上形成第二焊球，将第二芯片倒装在所述第二焊球上，包括：

在所述第一金属布线上形成第一保护层，并在所述第一保护层上形成第二过孔；

在所述第二过孔中形成所述第二焊球，将所述第二芯片倒装在所述第二焊球上。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第二胶层上形成第二金属布线，包括：

在所述第二胶层上形成第二钝化层；

图形化所述第二钝化层，以在对应所述金属柱的位置形成第三过孔；

在所述第三过孔和所述第二钝化层上形成所述第二金属布线。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第二金属布线上形成第三焊球，包括：

在所述第二金属布线上形成第二保护层，并在所述第二保护层上形成第四过孔；

在所述第四过孔中形成所述第三焊球。

6.一种使用权利要求1-5中任一项方法制作的三维堆叠的扇出型芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

承载片，所述承载片包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，所述承载片是硅、玻璃、金属或有机基板材料的平板，所述承载片设置有贯穿所述第一表面和所述第二表面的金属通孔；

第一焊球，所述第一焊球设置在所述承载片的第一表面，并与所述金属通孔电连接；

第一芯片，所述第一芯片倒装在所述第一焊球上；

第一胶层，所述第一胶层设置在所述承载片的第一表面，并包覆所述第一芯片；

第一金属布线，所述第一金属布线设置在所述承载片的第二表面，所述第一金属布线与所述金属通孔电连接；

第二焊球，所述第二焊球设置在所述第一金属布线上；

第二芯片，所述第二芯片倒装在所述第二焊球上；

第二胶层，所述第二胶层设置在所述第一金属布线上，并包覆所述第二芯片；

金属柱，所述金属柱贯穿所述第二胶层，并与所述第一金属布线电连接；

第二金属布线，所述第二金属布线设置在所述第二胶层上，并与所述金属柱电连接；

第三焊球，所述第三焊球形成在所述第二金属布线上。