[发明专利]一种导电结构及其制备方法、由其制备的电子设备在审
| 申请号： | 202011524279.5 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114171241A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 许金平;马金锁;谢合义;王允军 | 申请（专利权）人： | 苏州星烁纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 结构 及其 制备 方法 电子设备 | ||
1.一种导电结构，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、导电介质层、第一金属纳米线层，其中，单位厚度的所述导电介质层的透光率大于单位厚度的所述第一金属纳米线层的透光率。
2.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述导电介质层的厚度大于所述第一金属纳米线层的厚度。
3.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述导电介质层包括导电树脂、金属纳米颗粒、导电碳纳米材料中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述导电介质层内设置有沿所述第一金属纳米线层指向所述导电介质层方向延伸的孔，所述孔内填充有金属纳米线。
5.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，还包括层叠设置于所述导电介质层远离所述第一金属纳米线层一侧面的第二金属纳米线层。
6.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述第一金属纳米线层中的金属纳米线的长度为5～50μm。
7.根据权利要求1-6任一所述的导电结构，其特征在于，所述导电结构的透光率大于10％。
8.根据权利要求1-6任一所述的导电结构，其特征在于，所述导电结构的方阻为0.1～10Ω/□。
9.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-8任一所述的导电结构。
10.一种权利要求1-8任一所述的导电结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：
S1、提供一基板；
S2、在所述基板上形成导电介质层；
S3、在所述导电介质层上涂布金属纳米线分散液，以形成第一金属纳米线层。
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