[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。能够提高选择生长中的选择性。半导体器件的制造方法具有下述工序：(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给含烃基气体，将第1基底的表面以用烃基封端的方式进行改性的工序；和(b)向使第1基底的表面改性后的衬底供给含氧及氢气体，选择性地在第2基底的表面形成膜的工序。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时选择性地在衬底的表面露出的多种基底中的特定的基底的表面生长并形成膜的处理(以下，也将该处理称为选择生长或选择成膜)(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-243193号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供能够提高上述选择生长中的选择性的技术。

用于解决课题的手段

本发明的一方案提供进行下述工序的技术：

(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给含烃基气体，将所述第1基底的表面以用烃基封端的方式进行改性的工序；和

(b)向使所述第1基底的表面改性后的所述衬底供给含氧及氢气体，选择性地在所述第2基底的表面上形成膜的工序。

发明效果

根据本发明，能够提高上述选择生长中的选择性。

附图说明

图1是在本发明的一个方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以纵剖视图示出处理炉202部分的图。

图2是在本发明的一个方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以图1的A-A线剖视图示出处理炉202部分的图。

图3是在本发明的一个方式中优选使用的衬底处理装置的控制器121的概略构成图，是以框图示出控制器121的控制系统的图。

图4是示出本发明的一个方式的选择生长中的处理时序的图。

图5的(a)是示出DMATMS的化学结构式的图；图5的(b)是示出具有三烷基甲硅烷基及氨基的含烃基气体的化学结构式的图；图5的(c)是示出具有二烷基甲硅烷基及氨基的含烃基气体的化学结构式的图。

图6的(a)是含有氧化硅膜的基底200a及含有氮化硅膜的基底200b分别在表面露出的晶片200的表面处的剖面局部放大图；图6的(b)是通过供给含烃基气体，从而用烃基对基底200a的表面进行封端以使之改性后的晶片200的表面处的剖面局部放大图；图6的(c)是通过供给含硅及卤素气体，从而在基底200b的表面选择性地形成含有硅及碳的第1层后的晶片200的表面处的剖面局部放大图；图6的(d)是通过供给含氧及氢气体，从而使在基底200b的表面选择性地形成的第1层氧化，以改性成含有硅、氧及碳的第2层后的晶片200的表面处的剖面局部放大图；图6的(e)是在基底200b的表面选择性地形成碳氧化硅膜后的晶片200的表面处的剖面局部放大图；图6的(f)是通过对图6的(e)中示出的晶片200进行后处理，从而将对基底200a的表面进行封端的烃基从基底200a的表面除去后的晶片200的表面处的剖面局部放大图。

图7是示出在晶片的表面露出的各种基底的表面形成的碳氧化硅膜的厚度的测定结果的图。

具体实施方式

＜本发明的一个方式＞

以下，主要参照图1～图4对本发明的一个方式进行说明。