[发明专利]半导体器件及方法

说明书

本公开涉及半导体器件及方法。在实施例中，一种器件包括：半导体衬底；第一层间电介质(ILD)，位于半导体衬底上方；第一导电特征，延伸穿过第一ILD；第一蚀刻停止层，位于第一导电特征和第一ILD上方，第一蚀刻停止层是第一电介质材料；第二ILD，位于第一蚀刻停止层上方；接触，具有延伸穿过第二ILD的第一部分和延伸穿过第一蚀刻停止层的第二部分，该接触被物理地和电耦合到第一导电特征；以及第一保护层，围绕接触的第二部分，接触的第一部分没有第一保护层，第一保护层是第二电介质材料，第二电介质材料不同于第一电介质材料。

技术领域

本公开一般地涉及半导体器件及方法。

背景技术

通常，有源器件和无源器件被形成在半导体衬底之上和之中。一旦形成，这些有源器件和无源器件可以使用一系列导电层和绝缘层彼此连接并且与外部器件连接。这些层可以有助于互连各种有源器件和无源器件，并通过例如接触垫提供到外部器件的电连接。

为了在这些层内形成这些互连，可以采用一系列的光刻、蚀刻、沉积和平坦化技术。然而，由于有源器件和无源器件的尺寸已经减小，因此对这些技术的使用变得更加复杂，这也导致希望减小互连的尺寸。因此，需要改进互连的形成和结构，以使整个器件更小、更便宜、更高效、且缺陷或问题更少。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在第一层间电介质(ILD)上方沉积蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括第一电介质材料；在所述蚀刻停止层上方沉积第二ILD；利用第一干法蚀刻工艺穿过所述第二ILD蚀刻第一开口，所述第一开口暴露所述蚀刻停止层的第一区域，所述第一区域被所述第一干法蚀刻工艺改性为第二电介质材料，所述蚀刻停止层的第二区域保持被所述第二ILD所覆盖，所述第二区域在所述第一干法蚀刻工艺之后为所述第一电介质材料；以及利用第一湿法蚀刻工艺将所述第一开口延伸穿过所述蚀刻停止层，所述蚀刻停止层在所述第一湿法蚀刻工艺期间暴露于第一蚀刻溶液，所述第一蚀刻溶液包括用于所述第一电介质材料的电介质保护剂以及用于所述第二电介质材料的蚀刻剂。

根据本公开的另一实施例，提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一层间电介质(ILD)，位于所述半导体衬底上方；第一导电特征，延伸穿过所述第一ILD；第一蚀刻停止层，位于所述第一导电特征和所述第一ILD上方，所述第一蚀刻停止层是第一电介质材料；第二ILD，位于所述第一蚀刻停止层上方；接触，具有延伸穿过所述第二ILD的第一部分和延伸穿过所述第一蚀刻停止层的第二部分，所述接触被物理地和电耦合到所述第一导电特征；以及第一保护层，围绕所述接触的所述第二部分，所述接触的所述第一部分没有所述第一保护层，所述第一保护层是第二电介质材料，所述第二电介质材料不同于所述第一电介质材料。

根据本公开的又一实施例，提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一导电特征，位于所述半导体衬底上方；第一蚀刻停止层，位于所述第一导电特征上方，所述第一蚀刻停止层是第一电介质材料；层间电介质(ILD)，位于所述第一蚀刻停止层上方；以及接触，具有延伸穿过所述ILD的第一部分和延伸穿过所述第一蚀刻停止层的第二部分，所述接触被物理地和电耦合到所述第一导电特征，其中，所述接触的所述第一部分具有第一宽度，所述接触的所述第二部分具有第二宽度，所述第二宽度比所述第一宽度大第一距离，并且所述第一距离在1nm至9nm的范围内。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各方面。注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的三维视图中的简化鳍式场效应晶体管(FinFET)的示例。

图2至图19是根据一些实施例的制造FinFET的接触的中间阶段的截面图。

图20至图28是根据一些其他实施例的制造FinFET的接触的中间阶段的截面图。